Producción de sensores mediante las técnicas de transferencia y sputtering

El equipo incluye un bastidor de evaporación (foto 1), un bastidor de pulverización (foto 2), un taller de pulido, un banco de caracterización de alta frecuencia, así como diversos sistemas de control metrológico: medidor de espesor, perfilómetro y medios ópticos (foto 3).
La realización de sensores mediante la técnica conocida como transferencia constituye un know-how esencial de nuestro laboratorio.

Principio

Alternativa

La deposición por pulverización catódica, que, por el contrario, está limitada, por un lado, por la dificultad de hacer crecer películas finas piezoeléctricas de más de unos pocos micrómetros (a menudo sometidas a tensiones internas) y, por otro lado, para controlar su orientación cristalina.

Ventaja de la técnica de arrastre

La sección transversal del transductor monocristalino es independiente de la sección transversal del sustrato, por lo que la elección del modo de onda elástica es libre. (LiNbO3) es el candidato ideal debido a sus excelentes coeficientes de acoplamiento electromecánico, cuasi longitudinal (KL=0,49) y cuasi transversal (KT=0,62).

Caracterización acústica y eléctrica de los traductores

El banco de caracterización acústica se muestra en la foto 4.

La caracterización eléctrica de los sensores consiste en medir su impedancia eléctrica a través de un analizador de redes y compararla con resultados de simulación previamente establecidos.

La fuerte evolución de las actividades de acústica hacia la integración de sistemas lleva a nuestro laboratorio a desarrollar procesos tecnológicos innovadores basados en la integración de componentes acústicos de pequeña y alta frecuencia.

Esto nos lleva a realizar traductores de HF que resuenan en torno a GHz adheridos a sustratos de silicio delgados. Un analizador de redes de impulsos de banda ancha (300KHz a 8GHz), que se muestra en la foto 5, permite realizar mediciones eléctricas en pequeños traductores de sub-punta (100mm). La figura 1 muestra la respuesta eléctrica obtenida en un transductor resonante de 1 GHz afinado a 2,7 mm.

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Figura 1: Impedancia eléctrica de un transductor resonante a 1 GHz