Publicaciones

• Communication dans un congrès

Etude théorique du transistor bipolaire à transfert électronique

Christophe Dalle, M.R. Friscourt

12èmes Journées Nationales Microondes, 2001, Poitiers, France. ⟨hal-00005315⟩

• Communication dans un congrès

Passivation de MESFET's sur GaN

B. Boudart, Christophe Gaquière, Y. Guhel, F. Omnes, Jean-Claude de Jaeger

8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France. ⟨hal-00152909⟩

• Communication dans un congrès

Système de type radar appliqué aux domaines routiers et ferroviaires

P. Deloof, J. Ghys, Atika Rivenq, N. Rolland-Haese, M. Saint-Venant

Actes de TELECOM 2001 & 2èmes Journées Franco-Maghrebines des Microondes et leurs Applications, JFMMA 2001, 2001, Casablanca, Maroc. ⟨hal-00152917⟩

• Communication dans un congrès

Hydrogen passivation and local electron-beam reactivation of silicon dopants in GaAs characterized by differential conductance and STM spectroscopy measurements

Thierry Melin, S. Silvestre, J.P. Nys, B. Grandidier, D. Bernard-Loridant, D. Stievenard, E. Constant, C. Chevallier

11th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy, Spectroscopy and Related Techniques, STM 2001, 2001, Vancouver, Canada. ⟨hal-00152579⟩

• Communication dans un congrès

IF MEMS filters for mobile communication

E. Quevy, D. Galayko, Bernard Legrand, C. Renaux, C. Combi, D. Flandre, L. Buchaillot, D. Collard, B. Vigna, A. Kaiser

2001, pp.733-736. ⟨hal-00152458⟩

• Autre publication scientifique

Caractérisation de la propagation d'ondes guidées dans les matériaux sandwichs. Application au contrôle santé des radômes

Nicolas Bourasseau

2001. ⟨hal-00152932⟩

• Article dans une revue

Growth of strained Ga_1-xIn_xP layers on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy: similarities and differences with the growth of strained arsenides

X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot

Using reflection high energy electron diffraction and atomic force microscopy, the growth of Ga1−xInxP alloys on GaP (0 0 1) with x varying from 0.2 to 1 (InP) is investigated and compared to that of arsenides on GaAs (0 0 1) or InP (0 0 1). At 520°C, the evolution of the critical thickness for 3D...

• Communication dans un congrès

Antennes intégrées multicouches. Caractérisation diélectriques et applications

Marjorie Grzeskowiak, Latifa Achrait-Furlan, Eric Vestiel, Jean Vindevoghel

Des procédés de réalisation d’antennes micro-ondes en technologie micro-rubans multicouches sont décrits. La gamme de fonctionnement des antennes s’étend jusqu’à 24 GHz. Une méthode originale de caractérisation à 24 GHz des propriétés diélectriques de la couche émissive de l’antenne est exposée. Un...

TELECOM'2001 & 2ème JFMMA, Oct 2001, Casablanca, Maroc. pp.1-6. ⟨hal-02196876⟩

• Article dans une revue

Compound statistical model for 60 GHz channel

Y. Delignon, L. Clavier, V. Lethuc, C. Garnier, Mustapha Rachdi

IEEE 54th Vehicular Technology Conference. VTC Fall 2001. Proceedings (Cat. No.01CH37211) , 2001, pp.1780-1784. ⟨10.1109/vtc.2001.956506⟩. ⟨hal-04838037⟩

• Article dans une revue

Relationship between surface reconstruction and morphology of strained Ga1-xInxP layers grown on GaP(001) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot

Applied Physics Letters, 2001, 78, pp.2961. ⟨hal-00018480⟩