Publicaciones

• Communication dans un congrès

Current-voltage characteristics of (Mo/Au)/AlGaN/GaN/Si Schottky diodes

H. Mosbahi, M. Charfeddine, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref

The AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) is a promising candidate for microwave applications due to its high power and high temperature. owing to their large and direct band gap, as well as favorable transport properties. Moreover, III-V nitrides could be suitable for the emitters...

European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium X - Materials research for group IV semiconductors : growth, characterization and technological developments, 2014, Lille, France. ⟨hal-00961393⟩

• Article dans une revue

Measurement of the thermal conductivity of polydimethylsiloxane polymer using the three omega method

Nadine Al-Khudary, Pierre-Yves Cresson, Yovan Orlic, Philippe Coquet, Philippe Pernod, T. Lasri

Polydimethylsiloxane (PDMS) has widely appeared in different electronic and medical applications. The knowledge of the thermal properties of PDMS and especially its thermal conductivity is required while processing PDMS to design a particular device. In this paper measurement of the thermal...

Key Engineering Materials, 2014, 613, pp.259-266. ⟨10.4028/www.scientific.net/KEM.613.259⟩. ⟨hal-00992702⟩

• Article dans une revue

Dispersion properties and low infrared optical losses in epitaxial AlN on sapphire substrate in the visible and infrared range

Ali Soltani, Arnaud Stolz, Joël Charrier, Maghnia Mattalah, Jean-Claude Gerbedoen, Hassan Ali Barkad, Vincent Mortet, Michel Rousseau, Nour Eddine Bourzgui, Ali Benmoussa, Jean-Claude de Jaeger

Optical waveguiding properties of a thick wurtzite aluminum nitride highly [002]-textured hetero-epitaxial film on (001) basal plane of sapphire substrate are studied. The physical properties of the film are determined by X-ray diffraction, atomic force microscopy, microRaman, and photocurrent...

Journal of Applied Physics, 2014, 115 (16), pp.163515. ⟨10.1063/1.4873236⟩. ⟨hal-00987345⟩

• Article dans une revue

Electrical properties of lead-free KNN films on SRO/STO by RF magnetron sputtering

T. Li, G.S. Wang, K. Li, G. Du, Y. Chen, Z.Y. Zhou, Denis Remiens, X.L. Dong

Ceramics International, 2014, 40, pp.1195-1198. ⟨10.1016/j.ceramint.2013.07.005⟩. ⟨hal-00903762⟩

• Article dans une revue

Extension of the crosstalk cancellation method in ultrasonic transducer arrays from the harmonic regime to the transient one

Abdelmajid Bybi, Sébastien Grondel, Jamal Assaad, Anne-Christine Hladky

This paper describes a procedure to extend the crosstalk correction method presented in a previous paper [A. Bybi, S. Grondel, J. Assaad, A.–C. Hladky-Hennion, M. Rguiti, Reducing crosstalk in array structures by controlling the excitation voltage of individual elements: a feasibility study,...

Ultrasonics, 2014, 54 (2), pp.720-724. ⟨10.1016/j.ultras.2013.09.007⟩. ⟨hal-00903764⟩

• Communication dans un congrès

[Invited] MEMS research, applications and results

S. Arscott

Workshop on Nanoscale Processing for MEMS and NEMS, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-00976620⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation des propriétés élastiques du PZT déposé en couches minces par acoustique picoseconde

F. Casset, Arnaud Devos, A. Le Louarn, P. Emery, G. Le Rhun, S. Fanget, E. Defay

12ème Congrès Français d'Acoustique, CFA 2014, 2014, Poitiers, France. Session APUS2-2 : Contrôles et essais non-destructifs II, papier CFA2014/208, 530-534. ⟨hal-00978406⟩

• Article dans une revue

Confinement-modulated junctionless nanowire transistors for logic circuits

François Vaurette, Renaud Leturcq, Sylvie Lepilliet, Bruno Grandidier, Didier Stiévenard

We report the controlled formation of nanoscale constrictions in junctionless nanowire field-effect transistors that efficiently modulate the flow of the current in the nanowire. The constrictions act as potential barriers and the height of the barriers can be selectively tuned by gates, making the...

Nanoscale, 2014, 6 (22), pp.13446-13450. ⟨10.1039/c4nr04047c⟩. ⟨hal-04614113⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation en bruit hyperfréquences de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe:C avancés jusque 170 GHz

Marina Deng, Sylvie Lepilliet

Les mesures de bruit hyperfréquences sont essentielles pour établir ou conforter un modèle utilisé en vue du design de circuits RF ou millimétriques. Ce papier expose une méthodologie de mesures de bruit, avec des résultats sur transistors bipolaires à hétérojonction SiGe:C jusqu'à 170 GHz, et...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018377⟩

• Communication dans un congrès

Transistors à effet de champ à base du graphène sur SiC avec grille en T : homogénéité et performances

Mohamed Salah Khenissa, D. Mele, Mohamed Moez Belhaj, Ivy Colambo, Emiliano Pallecchi, Dominique Vignaud, Henri Happy

Dans ce papier, nous vous présentons notre travail sur les transistors à effet de champ à base de graphène GFET à grille isolée. Les transistors ont été réalisés sur le graphène épitaxié dont la synthétisation a été faite sur la face Si d'un substrat SiC, en utilisant l'Al203 comme un...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018370⟩