Publicaciones

• Communication dans un congrès

RF power MISFET's using thin LT GaAs as a passivator

D. Theron, B. Boudart, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger

Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2000, 2000, San Diego, CA, United States. ⟨hal-00159031⟩

• Communication dans un congrès

Ohmic contacts studies on AlGaN/GaN HEMTs

Y. Guhel, B. Boudart, T. Heim, N. Grandjean, F. Omnes, Jean-Claude de Jaeger

10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany. ⟨hal-00159035⟩

• Article dans une revue

Method for tight-binding parametrization : application to silicon nanostructures

Yann-Michel Niquet, Christophe Delerue, Guy Allan, Michel Lannoo

We propose a method for tight-binding parametrization, designed to give accurate results in the calculation of confined edge states in semiconductor nanostructures of any size. Indeed, this improved tight-binding description accurately reproduces the bulk effective masses as well as the overall...

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2000, 62, pp.5109-5116. ⟨10.1103/PhysRevB.62.5109⟩. ⟨hal-00158664⟩

• Communication dans un congrès

Acoustic wave phase conjugation in active media - Numerical simulations

A. Merlen, S. Ben-Khelil, Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod

IUTAM Symposium on Diffraction and Scattering in Fluid Mechanics and Elasticity, 2000, United Kingdom. pp.133-140. ⟨hal-00250440⟩

• Article dans une revue

Détection de failles par méthodes sismiques lors du creusement des tunnels, Seismic techniques to detect faults when driving tunnels

Benoit Celse, Bernard Vayssade, Jean Pierre Henry, Philippe Côte, O. Abraham, Bogdan Piwakowski

L'objectif de cet article est de présenter une nouvelle méthode de reconnaissance à l'avancement. Le but est la caractérisation tridimensionnelle du massif en avant du front de taille par méthodes sismiques. La tomographie réflexion a été choisie car elle permet d'obtenir, « en temps..., A new tunnel heading survey method is presented which uses seismic techniques to characterize in three dimensions the rock in front of the tunnel face. The technique of reflection tomography was selected as this provides a high resolution "real-time" map of wave velocities in the rock. lt...

Bulletin des Laboratoires des Ponts et Chaussees, 2000, 226, pp.13-25. ⟨hal-00250441⟩

• Communication dans un congrès

Alloys effects in skutterudites compounds : theoretical calculations and experimental validations for CoSb3 and Fe0.5Ni0.5Sb3

M. Lassalle, I. Lefebvre-Devos, X. Wallart, J. Olivier-Fourcade, L. Monconduit

2000, pp.B-4. ⟨hal-00158949⟩

• Article dans une revue

The electron beam induced reactivation of Si dopants in hydrogenated GaAs : a minority carrier generation effect or an energetic excitation effect ?

S. Silvestre, D. Bernard-Loridant, E. Constant, M. Constant, Jacques Chevallier

Applied Physics Letters, 2000, 20, pp.3206-3208. ⟨hal-00158582⟩

• Communication dans un congrès

Systèmes moléculaires organisés, application aux nano-composants électroniques

Laurent Breuil, Dominique Vuillaume

7èmes Journées de la Matière Condensée, Aug 2000, Poitiers, France. ⟨hal-00158946⟩

• Article dans une revue

Raman characterization of GaN synthetised by N implantation in GaAs substrate

B. Boudart, J.C. Pesant, Jean-Claude de Jaeger, P.A. Dhamelincourt

Journal of Raman Spectroscopy, 2000, 31, pp.615-618. ⟨hal-00158978⟩

• Autre publication scientifique

Contribution à la réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières GaAs, InP et GaN pour l'amplification de puissance hyperfréquence

B. Boudart

2000. ⟨hal-00159048⟩