Publicaciones

• Article dans une revue

Hysteretic behavior of the charge injection in single silicon nanoparticles

H. Diesinger, Thierry Melin, D. Deresmes, D. Stievenard, T. Baron

Applied Physics Letters, 2004, 85, pp.3546-3548. ⟨hal-00141252⟩

• Communication dans un congrès

Novel microfabricated nano-ESI interfaces to be integrated onto a microsystem

S. Arscott, S. Le Gac, C. Rolando

2004, pp.515-518. ⟨hal-00141032⟩

• Article dans une revue

NDE of two-layered mortar samples using high-frequency Rayleigh waves

M. Goueygou, Bogdan Piwakowski, A. Fnine, M. Kaczmarek, F. Buyle-Bodin

Ultrasonics, 2004, 42, pp.889-895. ⟨hal-00140727⟩

• Autre publication scientifique

Elaboration et caractérisation de transistors MOS Schottky en régime nanométrique

G. Larrieu

2004. ⟨hal-00140974⟩

• Communication dans un congrès

FinFET achievement : optimum e-beam lithography to etch dense silicon fins networks

F. Fruleux, J. Penaud, Emmanuel Dubois, G. Larrieu

MIGAS International Summer School on Advanced Microelectronics, MIGAS'04, 2004, Autrans, France. ⟨hal-00140996⟩

• Communication dans un congrès

Développement de modules électroniques permettant de détecter la présence d'une personne ou d'une partie de corps humain

D. Leclercq, P. Godts

Action de Recherche Concertée en Ingénierie Urbaine, 2004, Lille, France. ⟨hal-00140979⟩

• Communication dans un congrès

La résine photolithographiable SU-8 aspects chimiques et technologiques de la fabrication de microsystèmes

K. Chuda, X. Coqueret, Julien Carlier, S. Arscott, V. Thomy, C. Druon, P. Tabourier, J.C. Camart

Polymérisations sous Rayonnement, PolyRay, 2004, Villeneuve d Ascq, France. ⟨hal-00140980⟩

• Communication dans un congrès

Studies of multiwall carbon nanotubes using raman spectroscopy and atomic force microscopy

M. Zdrojek, W. Gebicki, C. Jastrzebski, Thierry Melin, A. Huczko

2004, pp.265-268. ⟨hal-00141289⟩

• Communication dans un congrès

Optical properties of BN nanotubes

L. Wirtz

6th International Conference on Nanotechnology in Carbon, NanoteC 2004, 2004, Batz-sur-Mer, France. ⟨hal-00141290⟩

• Communication dans un congrès

Transition from ballistic to ohmic transport in T-branch junctions at room temperature in GaInAs/AlInAs heterostructures

Jean-Sebastien Galloo, Emmanuelle Pichonat, Yannick Roelens, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy, Javier Mateos, Tomás González, Hervé Boutry, Vincent Bayot, Lukasz Bednarz, Isabelle Huynen

We have developed technolow based on GaInAs/AIInAs for building ballistic devices working at room temperature. We present processes for ballistic devices (T-Branch Junctions (TBJs), YBranch Junctions (YBJs)). Then we present DC Characterization of TBJs to show the transition from ballistic to ohmic...

16th IPRM. 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, May 2004, Kagoshima, Japan. pp.378-381, ⟨10.1109/ICIPRM.2004.1442734⟩. ⟨hal-00133896⟩