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  • Communication dans un congrès

Application de la Réfraction Négative à la focalisation de deux Sources Acoustiques

Etoungh Dimitri D. Manga, Lionel Haumesser, François Vander Meulen, Charles Croënne, Anne-Christine Hladky, Jerome O. Vasseur, Bruno Morvan, Emmanuel Le Clezio

Le travail, réalisé dans le cadre du projet ANR SUPREME (SUPerlentille à REfraction négative à base de MEtamatériaux et de cristaux phononiques), consiste en l'étude numérique et expérimentale de champs de pression transmis à travers un cristal phononique 2D. Les courbes de dispersion du...

10ème Congrès Français d'Acoustique, Apr 2010, Lyon, France. ⟨hal-00539662⟩

  • Communication dans un congrès

Fabrication d'Oscillateurs Haute Fréquence (GHz) à base de Résonateurs SAW sur Substrat en Carbone Diamant

Roland Salut, Badreddine Assouar, Omar Elmazria, Fabien Benedic, Celine Gesset, Samuel Saada, Philippe Bergonzo, Franck Omnès, Vincent Edon, Denis Remiens, Sylvain Ballandras

De nombreux travaux ont été consacrés à évaluer l'intérêt de l'utilisation de substrats en Carbone Diamant pour la fabrication de dispositifs radiofréquences fonctionnant à très haute fréquence (GHz), et basés sur la technologie SAW (Surface Acoustique Waves). L'intérêt principal de...

10ème Congrès Français d'Acoustique, Apr 2010, Lyon, France. ⟨hal-00542874⟩

  • Communication dans un congrès

Baseband Fading Channel Simulator for Inter-Vehicle Communication using SystemC-AMS

Abdelbasset Massouri, Antoine Lévêque, Laurent Clavier, Michel Vasilevski, Andreas Kaiser, Marie-Minerve Louerat

System level modeling and simulation have become a key issue in analyzing, optimizing and designing wireless systems. In this paper, modeling RF front end devices and radio propaga- tion channel especially fading time-variant channel for Inter- Vehicle Communication using SystemC-AMS are...

2010 IEEE International Behavioral Modeling and Simulation Conference (BMAS 2010), Sep 2010, San Jose, CA, United States. pp.36-41. ⟨hal-00632156⟩

  • Communication dans un congrès

Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Nina Diakonova, A. El Fatimy, Y. Meziani, T. Otsuji, Dominique Coquillat, Wojciech Knap, Frederic Teppe, S. Vandenbrouk, K. Madjour, Didier Theron, Christophe Gaquière, M. A. Poisson, S. Delage

We present experimental results on the Terahertz radiation from high electron mobility transistors at room temperature, which clearly show the tunability of the emission frequency by the gate voltage.

35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, Sep 2010, Rome, Italy. pp.1. ⟨hal-00636136⟩

  • Communication dans un congrès

SubfemtoFarad MOS varactor characterization tools

R. Debroucke, J. Larchanche, D. Theron, D. Ducatteau, H. Tanbakuchi, Christophe Gaquière

40th European Microwave Conference, EuMC 2010, 2010, France. pp.783-786. ⟨hal-00550021⟩