Publicaciones

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  • Communication dans un congrès

Design and realization of sub-100 nm gate length HEMTs

T. Parenty, S. Bollaert, J. Mateos-Lopez, A. Cappy

10th European Workshop on Heterostructure Technology, heTech'00, Sep 2000, Günzburg, Germany. ⟨hal-00157904⟩

  • Communication dans un congrès

Ultra low loss transmission lines on low resistivity silicon substrate

H. Happy, G. Six, M. Vanmackelberg, A. Cappy, Gilles Dambrine

2000, pp.1809-1812. ⟨hal-00157901⟩

  • Communication dans un congrès

Etude de films organiques conducteurs monomoléculaires réalises par auto-assemblage

S. Lenfant, D. Vuillaume

GDR Films Moléculaires Bidimensionnels, 2000, Obernai, France. ⟨hal-00158945⟩

  • Communication dans un congrès

Croissance EJM d'îlots InAs sur des tampons AIInAs et GaInAs désadaptés sur GaAs

Y. Cordier, P. Miska, D. Ferre

13ème Séminaire National sur l'Epitaxie par Jets Moléculaires, EJM 2000, 2000, Saint Aygulf, France. ⟨hal-00158439⟩

  • Communication dans un congrès

A physically based modeling of boron TED in amporphised Si

E. Lampin, V. Senez, Alain Claverie

2000, pp.B10.4. ⟨hal-00158506⟩

  • Article dans une revue

High cellular uptake of lipophilic oligonucleotide prodrugs

J. L. Imbach, J. C. Bologna, J. C. Bres, T. Lioux, I. Lefebvre, J. J. Vasscur, E. Vives, F. Morvan

Antiviral Research, 2000, 46 (1), pp.A47--A47. ⟨10.1016/S0166-3542(00)90371-1⟩. ⟨hal-02196846⟩

  • Article dans une revue

Substrate transfer process for InP-based heterostructure barrier varactor devices

S. Arscott, P. Mounaix, D. Lippens

Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures, 2000, 18 (1), pp.150. ⟨10.1116/1.591167⟩. ⟨hal-02348017⟩