Publicaciones

• Communication dans un congrès

Modèles numériques en acoustique non-linéaire – Application aux ultrasons de puissance

Bertrand Dubus, C. Campos-Pozuelo, C. Vanhille

Journée du GDR Ondes - Modèles de propagation en acoustique, 2005, Paris, France. ⟨hal-00125901⟩

• Communication dans un congrès

Nanomachined electrospray ionisation tips

C. Descatoire, David Troadec, A. Ashcroft, L. Buchaillot, S. Arscott

2005, pp.122-123. ⟨hal-00130658⟩

• Communication dans un congrès

Excitonic effects in boron nitride nanotubes

L. Wirtz

Réunion générale du GDR-DFT, 2005, Cap d'Agde, France. ⟨hal-00126429⟩

• Communication dans un congrès

Optoelectronic mixing using a novel dual-mode locking semiconductor laser at 40 GHz

P. Acedo, C. Roda, H. Lamela, G. Carpintero, Jean-Pierre Vilcot, S. Garidel

2005, pp.59711T-1-8. ⟨hal-00130831⟩

• Communication dans un congrès

Monitoring capillary endothelial cell culture and capillary formation in a microdevice by impedance spectroscopy measurements

K. Rissanen, S. Ostrovidov, E. Lennon, V. Senez, J. Kim, B. Kim, K.S. Furukawa, T. Ushida, Y. Sakai, T. Fujii

2005, pp.201-204. ⟨hal-00130852⟩

• Communication dans un congrès

Evaluation of electric impedance spectra for single bio-cells in microfluidic devices using combined FEMLAB/ELDO modeling

V. Senez, S. Arscott

2005, pp.472-475. ⟨hal-00130849⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation THz de lignes de Goubau par échantillonnage électro-optique pour BioMEMS cellulaire

A. Treizebre, Tahsin Akalin, L. Desplanque, Jean-Francois Lampin, Bertrand Bocquet

7èmes Journées des Phénomènes Ultra-rapides, 2005, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-00147497⟩

• Communication dans un congrès

Investigation THz de cellules vivantes

A. Treizebre, Tahsin Akalin, Bertrand Bocquet

Actes des 3èmes Journées Térahertz, 2005, Aussois, France. ⟨hal-00247708⟩

• Communication dans un congrès

Adaptive multi-path channel estimation in CDMA based on prefiltering : combination with a linear equalizer

E. Simon, L. Ros

Proceedings of the 14th IST Mobile and Wireless Communications Summit, 2005, Dresden, Germany. ⟨hal-00247774⟩

• Article dans une revue

High power and linearity performances of gallium nitride HEMT devices on sapphire substrate

M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, N. Vellas, D. Theron, B. Boudart, Virginie Hoel, Marie Germain, Jean-Claude de Jaeger, S. Delage

The benefit of high drain-source bias voltages of GaN devices on sapphire substrates for high linearity applications is demonstrated. Whatever the output power densities considered, the corresponding intermodulation ratio is at least 20 dB better than usual PHEMT devices on GaAs substrates for the...

Electronics Letters, 2005, 41 (1), ⟨10.1049/el:20056735⟩. ⟨hal-01646906⟩