Publicaciones

Tipo de Documento

Palabras clave

Autor

De

Au

Affichage de 7121 à 7130 sur 16549

Article dans une revue

Multi-carrier transmission of vectorial modulation schemes using electronic transceivers at 588 GHz

Guillaume Ducournau, P. Szriftgiser, D. Bacquet, Mohammed Zaknoune, Rédha Kassi, Jean-Francois Lampin

A reported is presented on the first communication system using vectorial modulation schemes above 500 GHz. Using Schottky-based electronic technologies at 588 GHz, potentialities of high-level multicarrier modulation schemes for wireless links are analysed. The wireless link is composed of an...

Electronics Letters, 2014, 50 (23), pp.1715-1716. ⟨10.1049/el.2014.3652⟩. ⟨hal-03286166⟩

Communication dans un congrès

Patterning innovative conducting interpenetrating polymer network by dry etching

Alexandre Khaldi, Ali Maziz, Cedric Plesse, Caroline Soyer, Dominique Teyssié, Frederic Vidal, Eric Cattan

Interpenetrating polymer networks, as biomimetic actuators, can become successful actuators in the field of microsystems providing they are compatible with micro-technologies. In this paper, we report a novel material synthesized from poly(3,4-ethylenedioxythiophene) and polyethylene oxide)/nitrile...

IEEE/ASME International Conference on Advanced Intelligent Mechatronics, AIM 2014, 2014, Besançon, France. ⟨10.1109/AIM.2014.6878282⟩. ⟨hal-01058046⟩

Autre publication scientifique

Conception de récepteurs hétérodynes sub-THz en technologie CMOS 65 nm

José Moron Guerra

Le but de cette thèse est d'explorer les opportunités de design au-delà des fréquences millimétriques en se rapprochant le plus possible de la bande THz en technologie CMOS. L'application spécifique est la détection hétérodyne pour l'imagerie THz. Sachant qu'on vise des...

2014. ⟨hal-01020489⟩

Article dans une revue

Extra-low parasitic gate-to-contacts capacitance architecture for sub-14 nm transistor nodes

Heimanu Niebojewski, Cyrille Le Royer, Y. Morand, Olivier Rozeau, Marie-Anne Jaud, Emmanuel Dubois, Thierry Poiroux, D. Bensahel

We investigate in this work an original contact architecture to address 64 nm pitch transistor technology. This architecture, studied here in the fully-depleted silicon-on insulator (FDSOI) flavour, remains suitable for planar and 3D (trigate, FinFET) approaches. It includes a recessed gate-first...

Solid-State Electronics, 2014, 97, pp.45-51. ⟨10.1016/j.sse.2014.04.028⟩. ⟨hal-01000014⟩

Communication dans un congrès

Variation des paramètres d'un transistor bipolaire Si/SiGe:C BiCMOS9MW, en fonction de la contrainte apportée par la densité des connexions métalliques

Elodie Canderle, Pascal Chevalier, Christophe Gaquière

Dans cette étude, l'impact du schéma de connexion au-dessus d'un transistor (technologie BiCMOS9MW) est évalué grâce à différentes configurations de " dummies ". Il est montré que plusieurs paramètres clés sont modifiés en fonction de la densité de connexions en métal à travers...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020310⟩

Communication dans un congrès

Caractérisation électrique d'une structure passive en hyperfréquence par mesures et modélisation de lignes CPW

Adrien Cutivet, A. Thevenot, A. Chakroun, N. Defrance, H. Maher, F. Boone

L'étude présentée a pour objectif la détermination des propriétés électriques d'un échantillon par la caractérisation de lignes de transmissions coplanaires (CPW) de dimensions et de nature différentes. La structure étudiée est une structure Métal Isolant Semiconducteur (MIS) pour...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020312⟩

Communication dans un congrès

Mesure non linéaire dédiée aux amplificateurs de puissance radar excités par un train de pulses non périodique avec un NVNA basé sur des mélangeurs

Vincent Bridier, Damien Ducatteau, Hans-Joachim Simon, François Graux, Gilles Dambrine

Une mesure de forme d'onde temporelle en mode pulsé non périodique mais répétitif a été réalisée en utilisant un NVNA commercial basé sur des mélangeurs en mode périodique. Puis pour la première fois, un NVNA 20GHz six ports basé sur des mélangeurs a été modifié afin de mesurer trois...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018367⟩

Communication dans un congrès

Lignes de transmission imprimées pour les applications RF jusqu'à 67 GHz

Mohamed Moez Belhaj, Wei Wei, Emiliano Pallecchi, Colin Mismer, Isabelle Roch-Jeune, Henri Happy

Cette lettre présente la caractérisation radiofréquence (RF) des guides d'ondes coplanaires (CPW) imprimées avec et sans déformation. Le PET et le Kapton sont choisis comme substrats souples avec des températures de frittage différentes. Avec les paramètres d'impression à jet d'encre...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, May 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018390⟩

Communication dans un congrès

Contrôle de la porosité dans des films d'or pour des micro-supercondensateurs

Aymeric Pastre, K. Raulin, Alexandre Boé, Nathalie Rolland, Odile Cristini, R. Bernard

Cet article présente un matériau d'électrode original pour les micro-supercondensateurs basé sur un film mince d'or poreux. Le procédé de fabrication implique le dépôt d'or par un procédé de chimie en solution. L'utilisation de polymères comme templates nous permet de générer...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018420⟩

Article dans une revue

A study on effect of wafer bow in wafer-level BCB cap transfer packaging

Seonho Seok, Janggil Kim

This paper investigates the effects of wafer bow of Si carrier wafer to achieve high-yield BCB cap transfer in wafer-scale packaging. BCB caps are built-up on Si carrier wafer and then they are bonded and transferred to a target wafer. The height of BCB cap is 25 lm and the thickness of Si carrier...

Microsystem Technologies, 2014, 20, pp.215-219. ⟨10.1007/s00542-013-1780-5⟩. ⟨hal-00939051⟩