Publicaciones

• Article dans une revue

Mechanical damage assessment of polymer-matrix composites using active infrared thermography

Walid Harizi, S. Chaki, Gérard Bourse, Mohamed Ourak

The present work uses an active form of the infrared (IR) thermography technique for monitoring and characterization of the damage of glass fibers reinforced Polymer-Matrix Composites (PMCs) following an experimental protocol based on a monotonic tensile test with constant stress steps. The active...

Composites Part B: Engineering, 2014, 66, pp.204-209. ⟨10.1016/j.compositesb.2014.05.017⟩. ⟨hal-01009971⟩

• Article dans une revue

Enhancing LSPR sensitivity of Au gratings through graphene coupling to Au film

Thomas Maurer, Rana Nicolas, Gaëtan Lévêque, P. Subramanian, Julien Proust, Jérémie Béal, Silvere Schuermans, Jean-Pierre Vilcot, Z. Herro, M. Kazan, Jerome Plain, Rabah Boukherroub, Abdellatif Akjouj, Bahram Djafari-Rouhani, Pierre-Michel Adam, Sabine Szunerits

A particular interesting plasmonic system is that of metallic nanostructures interacting with metal films. As the localized surface plasmon resonance (LSPR) behavior of gold nanostructures (Au NPs) on the top of a gold thin film is exquisitely sensitive to the spacer distance of the film-Au NPs, we...

Plasmonics, 2014, 9, pp.507-512. ⟨10.1007/s11468-013-9649-0⟩. ⟨hal-00994804⟩

• Communication dans un congrès

Phosphorus-hyperdoped Si nanocrystals : a model for localized surface plasmon resonance

X. Pi, Christophe Delerue

It has been recently realized that semiconductor nanocrystals can be doped with point defects or impurities up to a very high level, sometimes above the bulk solubility limit. In parallel, hyperdoping has also emerged as a promising means to change the electrical and optical properties of Si. In...

European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium X - Materials research for group IV semiconductors : growth, characterization and technological developments, 2014, Lille, France. ⟨hal-00961394⟩

• Communication dans un congrès

Croissance localisée d'InAs par épitaxie par jets moléculaires

Maria Fahed, L. Desplanque, Xavier Wallart

Ce travail porte sur l'étude de la croissance localisée d'InAs sur InAs déposé par épitaxie par jets moléculaires (EJM). Nous présentons la caractérisation de la morphologie des surfaces par microscopie électronique à balayage (MEB).

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018426⟩

• Communication dans un congrès

Technique de mesure du facteur de bruit différentiel avec un analyseur de réseau 4-ports

Yogadissen Andee, Jérôme Prouvée, François Graux, Francois Danneville

Ce papier présente une nouvelle méthode pour la mesure du facteur de bruit différentiel. Cette approche consiste à mesurer les paramètres S et les puissances de bruit en sortie du circuit différentiel directement sur un analyseur de réseau 4-ports. Elle ne nécessite aucun coupleur qui compliquerait...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018395⟩

• Communication dans un congrès

A 1D optomechanical crystal with a complete phononic band gap

Jordi Gomis-Bresco, Daniel Navarro Urrios, Mourad Oudich, Said El-Jallal, Amadeu Griol, Daniel Puerto, Emigdio Chávez-Ángel, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani, Francesc Alzina, Alejandro Martinez, Clivia Sotomayor-Torres

Joint 25th Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, and 14èmes Journées de la Matière Condensée, CMD25-JMC14, 2014, Paris, France. ⟨hal-01015239⟩

• Communication dans un congrès

InAs based Esaki tunnel diodes

Vinay Kumar Chinni, L. Desplanque, Mohamed Zaknoune, Xavier Wallart

We present simulation results of InAs based Esaki tunnel diodes. InAs homojunction and InAs/AlGaSb heterojunction are considered and we investigate the role of source and drain doping levels as well as band energy discontinuities on the tunneling current of the device. The results are very...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018430⟩

• Communication dans un congrès

Combinaison d'une polarisation élevée et d'une forte tenue en tension pour les transistors AlN/GaN sur Si

Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, F Medjdoub

Nous avons réalisé un transistor à double hétérostructure AlN/GaN/AlGaN sur substrat Silicium (111) combinant une tension de claquage élevée et une faible résistance à l'état passant avec une épaisseur totale de buffer de l'ordre de 2μm. Une technique de gravure locale du substrat a été...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018416⟩

• Communication dans un congrès

Memristive devices : an interconnect solution for matrix-based architectures ?

Sébastien Le Beux, F. Alibart, Dominique Vuillaume, Catherine Dubourdieu, Ian O'Connor

European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium S - Memristormaterials, mechanisms and devices for unconventional computing, 2014, Lille, France. ⟨hal-00957794⟩

• Communication dans un congrès

Ferroelectric thin films working at microwave frequency for reconfigurable devices on silicon substrate: performances comparison between BST, PST

Freddy Ponchel, Denis Remiens, Areski Ghalem, Tuami Lasri

4th International Meeting on Dielectric Materials, May 2013, Marrakech, Morocco. ⟨hal-03659197⟩