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Experimental investigation of RF noise performance improvement in graded-channel MOSFETs
M. Emam, P. Sakalas, D. Vanhoenacker-Janvier, J.P. Raskin, T.C. Lim, Francois Danneville
IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56, pp.1516-1522. ⟨10.1109/TED.2009.2021361⟩. ⟨hal-00469683⟩
Développement d'un système radar communicant inter-véhicules en technologie Ultra Large Bande
N. Obeid, Michael Bocquet, Christophe Loyez, F. Elbahhar, M. Heddebaut, N. Rolland
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.4D-6, 1-4. ⟨hal-00480321⟩
Bio capteurs à base de micro-résonateurs fendus
Charles Croënne, G. Houzet, A.L. Borja, X. Melique, Eric Lheurette, D. Lippens
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.5D-1, 1-4. ⟨hal-00480341⟩
Transition verticale coaxiale en technologie Au/BCB pour les technologies d'intégration 3D en gamme millimétrique
R. Crunelle, S. Seok, M. Fryziel, N. Rolland, A. Cathelin, P.A. Rolland
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.3B-2, 1-4. ⟨hal-00480327⟩
Système radio millimétrique ultra faible consommation pour réseaux de capteurs en gamme millimétrique
L. Jin, Christophe Loyez, N. Rolland, P. Rolland
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.1D-3, 1-4. ⟨hal-00480325⟩
Etude comparative entre deux systèmes de localisation basés sur la modulation de fréquence et le régime impulsionnel en gamme millimétrique
Michael Bocquet, Christophe Loyez, Fouzia Boukour, N. Rolland, M. Heddebaut
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.4D-5, 1-4. ⟨hal-00480320⟩
Détermination expérimentale des paramètres effectifs des métamatériaux à indice négatif
Charles Croënne, F. Zhang, Eric Lheurette, X. Melique, D. Lippens
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.4E-5, 1-4. ⟨hal-00480340⟩
Hydrogen storage in MgH2 matrices : a study of Mg-MgH2 interface using CPMD code on ENEA-GRID
S. Giusepponi, M. Celino, F. Cleri, A. Montone
Il Nuovo Cimento C, 2009, 32, pp.139-142. ⟨10.1393/ncc/i2009-10398-3⟩. ⟨hal-00473405⟩
InAlN/GaN MOS-HEMT with thermally grown oxide
M. Alomari, F Medjdoub, E. Kohn, M.A. Di Forte-Poisson, S. Delage, J.F. Carlin, N. Grandjean, Christophe Gaquière
International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2009, 19, pp.137-144. ⟨10.1142/S0129156409006187⟩. ⟨hal-00473433⟩
AlGaN/GaN HEMT high power densities on SiC/SiO2/poly-SiC substrates
N. Defrance, Virginie Hoel, Y. Douvry, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière, Xing Tang, Michel Rousseau, M.A. Di Forte-Poisson, J. Thorpe, H. Lahreche, R. Langer
IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.596-598. ⟨10.1109/LED.2009.2019972⟩. ⟨hal-00473428⟩