Publicaciones

• Communication dans un congrès

InAlN/GaN heterostructures for microwave power and beyond

E. Kohn, M. Alomari, A. Denisenko, M. Dipalo, D. Maier, F Medjdoub, C. Pietzka, S. Delage, M.A. Di Forte-Poisson, E. Morvan, N. Sarazin, J.C. Jacquet, C. Dua, J.F. Carlin, N. Grandjean, M. Py, M. Gonschorek, J. Kuzmik, D. Pogany, G. Pozzovivo, C. Ostermaier, L. Toth, B. Pecz, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière, K. Cico, K. Fröhlich, A. Kermaidis, E. Iliopoulos, G. Konstantinidis, C. Giessen, M. Heuken, B. Schineller

International Electron Devices Meeting, IEDM 2009, 2009, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/IEDM.2009.5424395⟩. ⟨hal-00474463⟩

• Article dans une revue

Assessment of carrier-multiplication efficiency in bulk PbSe and PbS

Joep J. H. Pijpers, Ronald Ulbricht, Klaas-Jan Tielrooij, A. Osherov, Y. Golan, Christophe Delerue, Guy Allan, Mischa Bonn

One of the important factors limiting solar-cell efficiency is that incident photons generate one electron–hole pair, irrespective of the photon energy. Any excess photon energy is lost as heat. The possible generation of multiple charge carriers per photon (carrier multiplication) is therefore of...

Nature Physics, 2009, 5, pp.811-814. ⟨10.1038/nphys1393⟩. ⟨hal-00473076⟩

• Article dans une revue

Ultrathin InAlN/AlN barrier HEMT with high performance in normally off operation

C. Ostermaier, G. Pozzovivo, J.F. Carlin, B. Basnar, W. Schrenk, Y. Douvry, Christophe Gaquière, J.C. Dejaeger, K. Cico, K. Frohlich, M. Gonschorek, N. Grandjean, G. Strasser, D. Pogany, J. Kuzmik

IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.1030-1032. ⟨10.1109/LED.2009.2029532⟩. ⟨hal-00473635⟩

• Article dans une revue

Tunable room temperature terahertz sources based on two dimensional plasma instability in GaN HEMTs

A. El Fatimy, T. Suemitsu, T. Otsuji, N. Dyakonova, W. Knap, Y.M. Meziani, S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. Theron, Christophe Gaquière, P. Prystawko, C. Skierbiszewski

Journal of Physics: Conference Series, 2009, 193, pp.012072-1-4. ⟨10.1088/1742-6596/193/1/012072⟩. ⟨hal-00473645⟩

• Article dans une revue

UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low schottky barrier S/D contact material for N-type MOSFET

Dmitri Yarekha, G. Larrieu, N. Breil, Emmanuel Dubois, S. Godey, X. Wallart, Caroline Soyer, Denis Remiens, N. Reckinger, Xing Tang, A. Laszcz, J. Ratajczak, A. Halimaoui

ECS Transactions, 2009, 19, pp.339-344. ⟨10.1149/1.3118961⟩. ⟨hal-00471999⟩

• Article dans une revue

Doping of poly(3-hexylthiophene) nanofibers : microscopic morphology and electrical properties

S. Desbief, G. Derue, P. Leclère, S. Lenfant, D. Vuillaume, R. Lazzaroni

European Physical Journal: Applied Physics, 2009, 46, pp.12504-1-5. ⟨10.1051/epjap/2009017⟩. ⟨hal-00472767⟩

• Autre publication scientifique

Photodiodes à avalanche GaInAs/Al(Ga)InAs pour la détection à 1,55µm. Applications aux télécommunications optiques et à la détection en espace libre

Anne Rouvie

2009. ⟨hal-00572787⟩

• Autre publication scientifique

Développement d'outils de simulation numérique pour l'élastodynamique non linéaire : application à l'imagerie acoustique de défauts à l'aide de transducteur à cavité chaotique

Yifeng Li

2009. ⟨hal-00572771⟩

• Article dans une revue

Silicon nanowires coated with silver nanostructures as ultrasensitive interfaces for surface-enhanced Raman spectroscopy

E. Galopin, J. Barbillat, Yannick Coffinier, Sabine Szunerits, G. Patriarche, Rabah Boukherroub

Silver nanoparticles (Ag NPs) were chemically deposited on silicon nanowires (SiNWs), prepared using the vapor−liquid−solid (VLS) growth mechanism, using an in situ electroless metal deposition technique. The resulting SiNWs/Ag NPs composite interfaces showed large Raman scattering enhancement for...

Applied Materials & Interfaces, 2009, 1, pp.1396-1403. ⟨10.1021/am900087s⟩. ⟨hal-00413200⟩

• Autre publication scientifique

Analyse physique et simulations numériques appliquées à l'évaluation des fuites électromagnétiques des connecteurs blindés

Youssef Bouri

2009. ⟨hal-00573109⟩