Publicaciones

• Communication dans un congrès

Etude de différentes solutions d'adaptation pour la conception d'un amplificateur de classe 100W à base de HEMT AlGaN/GaN

G. Le Coustre, O. Jardel, S. Piotrowicz, E. Chartier, J.C. Jacquet, E. Morvan, M. Stanislaviak, P. Eudeline, Christophe Gaquière, S. Delage

16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.5E-9, 1-4. ⟨hal-00480440⟩

• Communication dans un congrès

Model based design flow for implementing an anti-collision radar system

I.R. Quadri, Yassin El Hillali, Samy Meftali, J.L. Dekeyser

9th International Conference on Intelligent Transport Systems Telecommunications, ITST 2009, 2009, France. pp.604-608, ⟨10.1109/ITST.2009.5399285⟩. ⟨hal-00474134⟩

• Article dans une revue

Preparation and multi-characterization of plasma polymerized allylamine films

Abdennour Abbas, Céline Vivien, Bertrand Bocquet, Didier Guillochon, Philippe Supiot

Plasma polymerized allylamine (ppAA) films were deposited in a radio-frequency glow discharge plasma reactor using a continuous-wave mode and varying the discharge power from 15 to 125 W. The deposition rate reached 26 nm · min−1 and was constant within at least half an hour of process. The...

Plasma Processes and Polymers, 2009, 6, pp.593-604. ⟨10.1002/ppap.200900016⟩. ⟨hal-00471822⟩

• Article dans une revue

AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric

J.C. Gerbedoen, Ali Soltani, M. Mattalah, M. Moreau, P. Thevenin, Jean-Claude de Jaeger

Metal/Insulator/Semiconductor AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (MISHEMTs) on sapphire substrate were fabricated with hexagonal Boron Nitride (hBN) thin film as gate dielectric. The hBN thin film, deposited by MW-PECVD, is an insulator permitting to obtain a low leakage current gate, an...

Diamond and Related Materials, 2009, 18, pp.1039 - 1042. ⟨10.1016/j.diamond.2009.02.018⟩. ⟨hal-00435395⟩

• Thèse

Conception et réalisation de composants acousto-optiques pour le filtrage optique accordable, Design and realization of acousto-optical devices for tunable optical filtering

Hichem Benaissa

Un état de l'art des différentes configurations d'interactions employées pour les filtres acousto-optiques est donné. Nous présentons ensuite un mode d'interaction anisotrope permettant une interaction efficace quelle que soit la polarisation lumineuse. Cette configuration est..., An overview of different configurations of interactions used for acousto-optical filters is given. First, we present a mode of interaction allowing an anisotropic effective interaction regardless of the incident light polarization. This configuration is used for achieving an acousto-optical...

Electronique. Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis, 2008. Français. ⟨NNT : 2008VALE0039⟩. ⟨hal-00362350⟩

• Thèse

Transport électronique couplé à la microscopie en champ proche des transistors à nanotube de carbone: application à la détection de charges, Coupling electronic transport and scanning probe microscopy of carbon nanotube field effect transistors: application to charge detection

David Brunel

Un nanotube de carbone est une molécule tubulaire dont les propriétés électroniques et quantiques sont tout à fait remarquables. Lorsqu'il est utilisé en tant que canal de conduction d'un transistor à effet de champ, il est possible de détecter électriquement la présence de charges..., A carbon nanotube is a tubular molecule with electronic and quantic properties very passionating. When a nanotube is used as conduction channel of a transistor, it is possible to detect electricaly the presence of charges stored at the vicinity, creating then an ultime non volatile memory device....

Physique [physics]. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2008. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00453939⟩

• Thèse

Réseaux ad-hoc, Wireless ad-hoc networks

Abusaif Abdulalli

L’utilisation des réseaux ad hoc sans fil est devenue de plus en plus en populaire ces dernières années en raison de leur facilité de déploiement. Dans un tel réseau, les hôtes (ou noeuds) échangent entre eux des paquets de données par liaison radio, sans recourir à aucune hiérarchisation ni..., Wireless ad-hoc networks became more and more popular in the past few years, owing to their use of deployment. In such a network, the hosts (or nodes) exchange data packets via radio links, without resorting to any hierarchic scheme nor supervisory control. In fact, the data transfers are driven by...

Réseaux et télécommunications [cs.NI]. Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis, 2008. Français. ⟨NNT : 2008VALE0041⟩. ⟨hal-00362099⟩

• Communication dans un congrès

An organic-nanoparticle transistor behaving as a spiking synapse

F. Alibart, Christophe Novembre, David Guérin, Stéphane Pleutin, K. Lmimouni, Christian Gamrat, Dominique Vuillaume

4th International Meeting on Molecular Electronics, ElecMol'08, Dec 2008, Grenoble, France. ⟨hal-00361614⟩

• Article dans une revue

Transmission electron microscopy study of the platinum germanide formation process in the Ge/Pt/SiO2/Si structure

A. Laszcz, J. Ratajczak, A. Czerwinski, J. Katcki, V. Srot, F. Phillipp, P.A. van Aken, N. Breil, G. Larrieu, Emmanuel Dubois

The mechanisms of the platinum germanide formation by RTA processes in the Ge/Pt/Ge/SiO2/Si structure in the temperature range from 200 °C to 600 °C were investigated by means of transmission electron microscopy (TEM) techniques. The studies were focused on the observations of the layer...

Materials Science and Engineering: B, 2008, 154-155, pp.175-178. ⟨10.1016/j.mseb.2008.10.002⟩. ⟨hal-00356977⟩

• Article dans une revue

Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance

G. Larrieu, Emmanuel Dubois, Dmitri Yarekha, N. Breil, N. Reckinger, Xing Tang, J. Ratajczak, A. Laszcz

This paper proposes to study the impact of a moderate variation of the channel doping level on the electrical performance of p-type Schottky-barrier (SB) MOSFETs. First, it has been found that a moderate increase of the acceptors doping level leads to a reduction of the Schottky-barrier height (SBH...

Materials Science and Engineering: B, 2008, 154-155, pp.159-162. ⟨10.1016/j.mseb.2008.10.014⟩. ⟨hal-00356976⟩