Publicaciones

• Communication dans un congrès

Narrow band gap III-V based-FET for ultra low power high frequency analog applications

Gilles Dambrine, S. Bollaert, Yannick Roelens, A. Noudeviwa, Francois Danneville, A. Olivier, Nicolas Wichmann, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn, G. Moschetti, P.A. Nilsson, M. Malmkvist, E. Lefebvre

67th Device Research Conference, 2009, State College, PA, United States. ⟨10.1109/DRC.2009.5354961⟩. ⟨hal-00575689⟩

• Communication dans un congrès

Analyse du comportement HF d'une sous-station d'alimentation ferroviaire par homothétie physique et géométrique

H. Ouaddi, S. Baranowski, G. Nottet, B. Demoulin, L. Kone

TELECOM'2009 & 6èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2009, Maroc. pp.C1-2, 1-4. ⟨hal-00573505⟩

• Communication dans un congrès

Millimeter-wave patch array antenna on ultra flexible micromachined polydimethylsiloxane (PDMS) substrate

S. Hage-Ali, Nicolas Tiercelin, P. Coquet, R. Sauleau, Vladimir Preobrazhensky

IEEE International Symposium on Antennas and Propagation, 2009, Charleston, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/APS.2009.5171486⟩. ⟨hal-00474086⟩

• Chapitre d'ouvrage

Les cristaux phononiques : des matériaux pour contrôler la propagation des ondes acoustiques

Bahram Djafari-Rouhani, Yan Pennec, Jerome O. Vasseur, V. Laude, A. Khelif, S. Benchabane

Leray J.L., Boudenot J.C., Gautier J. La micro-nano électronique, enjeux et mutations, CNRS ÉDITIONS, pp.279-283, 2009. ⟨hal-00575798⟩

• Communication dans un congrès

Electron phonon coupling in graphene within the GW approximation

L. Wirtz, M. Lazzeri, Claudio Attaccalite, Francesco Mauri

Graphene Week, 2009, Obergurgl, Austria. ⟨hal-00575397⟩

• Article dans une revue

AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric

J.C. Gerbedoen, Ali Soltani, M. Mattalah, M. Moreau, P. Thevenin, Jean-Claude de Jaeger

Metal/Insulator/Semiconductor AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (MISHEMTs) on sapphire substrate were fabricated with hexagonal Boron Nitride (hBN) thin film as gate dielectric. The hBN thin film, deposited by MW-PECVD, is an insulator permitting to obtain a low leakage current gate, an...

Diamond and Related Materials, 2009, 18, pp.1039 - 1042. ⟨10.1016/j.diamond.2009.02.018⟩. ⟨hal-00435395⟩

• Article dans une revue

Preparation and multi-characterization of plasma polymerized allylamine films

Abdennour Abbas, Céline Vivien, Bertrand Bocquet, Didier Guillochon, Philippe Supiot

Plasma polymerized allylamine (ppAA) films were deposited in a radio-frequency glow discharge plasma reactor using a continuous-wave mode and varying the discharge power from 15 to 125 W. The deposition rate reached 26 nm · min−1 and was constant within at least half an hour of process. The...

Plasma Processes and Polymers, 2009, 6, pp.593-604. ⟨10.1002/ppap.200900016⟩. ⟨hal-00471822⟩

• Communication dans un congrès

High 'on-off' conductance ratio in self-assembled monolayers of azobenzene derivatized oligothiophenes grafted on gold

K. Smaali, S. Lenfant, D. Deresmes, S. Godey, D. Vuillaume, S. Karpe, M. Oçafrain, P. Blanchard, J. Roncali

10th European Conference on Molecular Electronics, ECME 2009, 2009, Copenhagen, Denmark. ⟨hal-00574930⟩

• Thèse

Conception et réalisation de composants acousto-optiques pour le filtrage optique accordable, Design and realization of acousto-optical devices for tunable optical filtering

Hichem Benaissa

Un état de l'art des différentes configurations d'interactions employées pour les filtres acousto-optiques est donné. Nous présentons ensuite un mode d'interaction anisotrope permettant une interaction efficace quelle que soit la polarisation lumineuse. Cette configuration est..., An overview of different configurations of interactions used for acousto-optical filters is given. First, we present a mode of interaction allowing an anisotropic effective interaction regardless of the incident light polarization. This configuration is used for achieving an acousto-optical...

Electronique. Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis, 2008. Français. ⟨NNT : 2008VALE0039⟩. ⟨hal-00362350⟩

• Thèse

Transport électronique couplé à la microscopie en champ proche des transistors à nanotube de carbone: application à la détection de charges, Coupling electronic transport and scanning probe microscopy of carbon nanotube field effect transistors: application to charge detection

David Brunel

Un nanotube de carbone est une molécule tubulaire dont les propriétés électroniques et quantiques sont tout à fait remarquables. Lorsqu'il est utilisé en tant que canal de conduction d'un transistor à effet de champ, il est possible de détecter électriquement la présence de charges..., A carbon nanotube is a tubular molecule with electronic and quantic properties very passionating. When a nanotube is used as conduction channel of a transistor, it is possible to detect electricaly the presence of charges stored at the vicinity, creating then an ultime non volatile memory device....

Physique [physics]. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2008. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00453939⟩