Publicaciones
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Etude et faisabilité d'un système de communication Ultra Large Bande (ULB) en gamme millimétrique en technologie silicium avancée
M. Devulder
2008. ⟨hal-00362105⟩
Simulations numériques des mécanismes de conjugaison de phase dans les matériaux actifs magnéto-acoustiques
Q. Zhang
2008. ⟨hal-00362353⟩
Propagation confocale et diffusion Brillouin de faisceaux acoustiques conjugués en phase
M. Ivanov
2008. ⟨hal-00375437⟩
Micro ripples, sand ripples and their universal wavelength scaling
P.J. Thomas, Farzam Zoueshtiagh, A. Merlen, V. Thomy
7th EUROMECH Fluid Mechanics Conference, EFMC7, 2008, Manchester, United Kingdom. ⟨hal-00811718⟩
Etude des effets parasites dans les transistors à haute mobilité à base de nitrure : HEMT AlGaN/GaN
M. Gassoumi, O. Fathallah, Christophe Gaquière, G. Guillot, H. Maaref
11èmes Journées Maghrébines des Sciences de Matériaux, JMSM 2008, 2008, Hammamet, Tunisie. ⟨hal-00811731⟩
THz emission from AlGaN/GaN high mobility transistors
N. Dyakonova, D. Coquillat, F. Teppe, W. Knap, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.A. Poisson, S. Delage, Christophe Gaquière, S. Vandenbrouck, A. Cappy
V International Conference 'Basic Problems of Optics', 2008, St Petersburg, Russia. ⟨hal-00811735⟩
[Invited] Nonlinear magnetoacoustics of solids
Vladimir Preobrazhensky
Linear and Nonlinear Acoustic Wave Propagation in Heterogeneous Media : Modern Trends and Applications, 2008, Les Houches, France. ⟨hal-00811713⟩
Measuring current by counting electrons in a nanowire quantum dot
S. Gustavsson, I. Shorubalko, R. Leturcq, S. Schön, K. Ensslin
Applied Physics Letters, 2008, 92, pp.152101-1-3. ⟨10.1063/1.2892679⟩. ⟨hal-00357371⟩
Impact of lateral asymmetry of MOSFETs on the gate-drain noise correlation
A.S. Roy, C.C. Enz, T.C. Lim, Francois Danneville
IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55, pp.2268-2272. ⟨10.1109/TED.2008.925935⟩. ⟨hal-00356669⟩
High-frequency noise performance of 60-nm gate-length FinFETs
J.P. Raskin, G. Pailloncy, D. Lederer, Francois Danneville, Gilles Dambrine, S. Decoutere, A. Mercha, B. Parvais
IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55, pp.2718-2727. ⟨10.1109/TED.2008.2003097⟩. ⟨hal-00356670⟩