Publicaciones

• Article dans une revue

Strong generation of coherent acoustic phonons in semiconductor quantum dots

Arnaud Devos, F. Poinsotte, Jesse Groenen, O. Dehaese, N. Bertru, Anne Ponchet

Physical Review Letters, 2007, 98, pp.207402-1-4. ⟨10.1103/PhysRevLett.98.207402⟩. ⟨hal-00255740⟩

• Article dans une revue

A 360 degrees BST phase shifter with moderate bias voltage at 30 GHz

Gabriel Vélu, Karine Blary, Ludovic Burgnies, Aurélien Marteau, Gregory Houzet, Didier Lippens, Jean-Claude Carru

Paraelectric BaSrTiO 3 films deposited by sol-gel have been investigated from 1 kHz to 40 GHz using coplanar waveguides, resonators, and inter-digitated capacitances. At room temperature and without bias, the dielectric constant epsiv r is around 300 and the loss tangent is 5times10 -2 . Tunability...

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2007, 55, pp.438-444. ⟨10.1109/TMTT.2006.889319⟩. ⟨hal-00255772⟩

• Article dans une revue

Wave phase conjugation of the Stokes component of Brillouin scattering of ultrasound

Nikolay Smagin, Y. Pyl'Nov, Philippe Pernod, Vladimir Preobrazhensky

Physics of Wave Phenomena, 2007, 15, pp.111-115. ⟨10.3103/S1541308X07020057⟩. ⟨hal-00255797⟩

• Communication dans un congrès

Un modèle diphasique self-consistant pour la propagation du son dans des solutions concentrées de particules rigides.

Michael Baudoin, Jean-Louis Thomas, François Coulouvrat

Un modèle diphasique self-consistant est proposé pour modéliser la propagation du son dans des suspensions de particules rigides concentrées (en régime grande longueur d'onde) et ainsi tenir compte des effets de diffusion multiple. A partir des équations locales, des équations moyennes sont...

CFM 2007 - 18ème Congrès Français de Mécanique, Aug 2007, Grenoble, France. ⟨hal-03362062⟩

• Communication dans un congrès

Benchmarking of low band gap III-V based-HEMTs and sub-100nm CMOS under low drain voltage regime

S. Bollaert, L. Desplanque, X. Wallart, Yannick Roelens, M. Malmkvist, M. Borg, E. Lefebvre, J. Grahn, D. Smith, Gilles Dambrine

2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.20-23, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412637⟩. ⟨hal-00362727⟩

• Article dans une revue

Growth and optical properties of KTa1-xNbxO3 thin films grown by pulsed laser deposition on MgO substrates

A. Rousseau, Maryline Guilloux-Viry, El Hadj Dogheche, M. Bensalah, Denis Remiens

Journal of Applied Physics, 2007, 102, pp.093106-1-4. ⟨10.1063/1.2809400⟩. ⟨hal-00283059⟩

• Communication dans un congrès

Détection et évaluation des tensions de décalage d'un circuit analogique

Ramy Iskander, Marie-Minerve Louërat, Andreas Kaiser

Nous avons précédemment conçu une méthode pour dimensionner et polariser un circuit analogique en nous appuyant sur un graphe de dépendance. Cependant, à cause du nombre élevé de degrés de liberté présents dans un circuit analogique, des conflits peuvent apparaître dans ce graphe. Ici, nous...

TAISA Colloque sur le Traitement Analogique de l'Information du Signal et ses Applications, 2007, Lyon, France. pp.13-16. ⟨hal-01311544⟩

• Communication dans un congrès

Electrostrictive and piezoelectric behaviour of PMN-PT thin film

Mickael Detalle, R. Herdier, G.S. Wang, Denis Remiens, Pascal Roussel, E. Fribourg-Blanc

8th European Conference on Applications of Polar Dielectrics (ECAPD'8), Sep 2006, Metz, France. pp.15-24. ⟨hal-00104968⟩

• Proceedings/Recueil des communications

Note sui Principes de Thérmodynamique di Paul de Saint Robert (Briefs on Principes de Thérmodynamique by Paul de Saint Robert)

Raffaele Pisano

Proceedings of the 24th SISFA Conference Societá Italiana degli Storici della Fisica e dell'Astronomia, Bibliopolis, pp.129-134, 2007, 978-88-7088-537-7. ⟨hal-04515033⟩

• Article dans une revue

Quick planarisation based on hydrogen silsesquioxane (HSQ) for deep etched InP based structures

Malek Zegaoui, Joseph Harari, Nargess Choueib, V. Magnin, Didier Decoster

The ability of HSQ resist films to planarise active deep etched (1.5-2m) InP based structures with electrodes is demonstrated for the first time. Vertically etched III-V semiconductor devices require planarisation of the passivation material for metal interconnections and device integration. A new...

Electronics Letters, 2007, 43 (22), pp.1234-1236. ⟨10.1049/el:20071889⟩. ⟨hal-00283081⟩