Publicaciones

• Article dans une revue

Screening and surface states in molecular monolayers adsorbed on silicon

F. Cleri, S. Letardi, C. Delerue

Journal of Physical Chemistry B, 2006, 110, pp.11496-11503. ⟨hal-00127845⟩

• Article dans une revue

Can scanning tunneling spectroscopy measure the density of states of semiconductor quantum dots ?

P. Liljeroth, L. Djira, K. Overgaag, B. Grandidier, S. Speller, D. Vanmaekelbergh

Physical Chemistry Chemical Physics, 2006, 8, pp.3845-3850. ⟨hal-00127827⟩

• Article dans une revue

Punch-through in short-channel AlGaN/GaN HFETs

M.J. Uren, K.J. Nash, R.S. Balmer, T. Martin, E. Morvan, N. Caillas, S.L. Delage, D. Ducatteau, B. Grimbert, Jean-Claude de Jaeger

IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53, pp.395-398. ⟨hal-00127940⟩

• Communication dans un congrès

Micro-machined actuators for the friction driven micro-motor

Bernard Legrand, L. Buchaillot, D. Collard

2006, pp.211-214. ⟨hal-00128670⟩

• Communication dans un congrès

Micro et nanomécanique, MEMS et NEMS

Bernard Legrand, L. Buchaillot, D. Collard

Ecole CNRS : Nanosciences et Nanotechnologies, 2006, Autrans, France. ⟨hal-00128667⟩

• Article dans une revue

BCH coding performance evaluation on a land mobile channel based OFDM system

A. Seddiki, A. Djebbari, Jean-Michel Rouvaen, Abdelmalik Taleb-Ahmed

Information Technology Journal, 2006, 5, pp.930-936. ⟨hal-00128167⟩

• Autre publication scientifique

Estimation de canaux sélectifs en fréquence par interpolation pour les systèmes DMT. Application aux PLC

David Buèche

2006. ⟨hal-00128169⟩

• Autre publication scientifique

Modélisation des propriétés statiques et dynamiques de milieux ferroélectriques de dimensions finies

Laurent Baudry

2006. ⟨hal-00128186⟩

• Communication dans un congrès

Carbon nanotube field-effect transistor for GHz operation

Jean-Marc Bethoux, Henri Happy, Gilles Dambrine, Jean-Sébastien Borghetti, Vincent Derycke, M. F. Goffman, Jean-Philippe Bourgoin

The paper reports high frequency (HF) performance of carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) with S-parameters measurements. The optimized device structure achieves current gain cut-off frequency F T of 1 GHz, with a slope of -20dB/decade, for the first time

European Solid-State Device Research Conference, Sep 2006, Montreux, Switzerland. pp.206-209, ⟨10.1109/ESSDER.2006.307674⟩. ⟨hal-00128189⟩

• Article dans une revue

Output power density of 5.1W/mm at 18 GHz with an AlGaN/GaN HEMT on Si substrate

D. Ducatteau, A. Minko, Virginie Hoel, E. Morvan, E. Delos, B. Grimbert, H. Lareche, P. Bove, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, S.L. Delage

IEEE Electron Device Letters, 2006, 27, pp.7-9. ⟨hal-00127941⟩