Publicaciones

• Communication dans un congrès

Amélioration des performances des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat Si

A. Minko, Virginie Hoel, Christophe Gaquière, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies, H. Lareche, L. Wedzikowski, R. Langer, P. Bove

GDR Grand Gap, 2004, Fréjus, France. ⟨hal-00141966⟩

• Communication dans un congrès

Low frequency noise and transport mechanisms in AlGaN/GaN HEMT devices

Jean-Guy Tartarin, Geoffroy Soubercaze-Pun, Abdelali Rennane, Laurent Bary, Robert Plana, Jean-Claude de Jaeger, Marie Germain, S. Delage, Jacques Graffeuil

European Microwave Week, 2004, Amsterdam, Netherlands. ⟨hal-00141963⟩

• Autre publication scientifique

Conception et réalisation de transistors sur substrat InP pour amplification de puissance en bande W

F Medjdoub

2004. ⟨hal-00141953⟩

• Article dans une revue

Electrical and morphological properties of PP and PET conductive polymer fibers

B. Kim, V. Koncar, E. Devaux, C. Dufour, P. Viallier

Synthetic Metals, 2004, 146, pp.167-174. ⟨hal-00140736⟩

• Communication dans un congrès

Novel 2D interfaces for nanoelectrospray mass spectrometry

S. Arscott, S. Le Gac, C. Druon, P. Tabourier, C. Rolando

2004, pp.316-319. ⟨hal-00140770⟩

• Article dans une revue

AlGaN/GaN HEMTs on Si with power density performance of 1.9 W/mm at 10 GHz

A. Minko, Virginie Hoel, E. Morvan, B. Grimbert, A. Soltani, E. Delos, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger, H. Lahreche, L. Wedzikowski, R. Langer, P. Bove

IEEE Electron Device Letters, 2004, 25, pp.453-455. ⟨hal-00141952⟩

• Autre publication scientifique

Mise en œuvre de l'épitaxie par jets moléculaires pour la synthèse de diamant monocristallin

T. Gehin

2004. ⟨hal-00133960⟩

• Communication dans un congrès

Nonlinear noise modeling in FETs for the design of low noise active mixers

Francois Danneville

IEEE MTT-S International Microwave Symposium, Workshop on System-Level Measurement, Modelling, and Design Issues of Mixers, 2004, Fort Worth, TX, United States. ⟨hal-00133911⟩

• Communication dans un congrès

Radiation of directional seismic sources within a layered half-space

Madjid Berraki, Bertrand Dubus, Axelle Baroni

Congrès Français d'Acoustique CFA, Mar 2004, Strasbourg, France. pp.145-146. ⟨hal-00142047⟩

• Article dans une revue

Schottky-barrier source/drain MOSFETs on ultra-thin silicon-on-insulator body with a tungsten metallic midgap gate

G. Larrieu, Emmanuel Dubois

This letter presents a simple low-temperature process to fabricate Schottky-barrier (SB) MOSFETs that integrates a midgap metallic gate (tungsten). The device architecture is based on a thin (10 nm) and lowly doped silicon-on-insulator film that provides a threshold voltage of -0.3 V independent on...

IEEE Electron Device Letters, 2004, 25, pp.801-803. ⟨10.1109/LED.2004.838053⟩. ⟨hal-00140981⟩