Publicaciones

• Autre publication scientifique

Elaboration et caractérisation de transistors MOS Schottky en régime nanométrique

G. Larrieu

2004. ⟨hal-00140974⟩

• Communication dans un congrès

Novel 2D Interfaces for Nanoelectrospray-Mass Spectrometry

S. Arscott

Nanotech2004, 2004, Boston, United States. ⟨hal-02347767⟩

• Autre publication scientifique

Etude théorique et modélisation d'une source piézoélectrique enterrée unidirectionnelle pour applications sismiques

Madjid Berraki

Un problème commun de l'acquisition en sismique 4D et de l'imagerie des zones de piémont, est celui de la reproductibilité du signal source. En effet, d'une part, le principe du monitoring est de déceler des variations infimes au niveau du réservoir via des comparaisons de données...

2004. ⟨hal-00162765⟩

• Autre publication scientifique

Optimisation d'une technique 3D pour la réalisation de circuits intégrés millimétriques sur substrat de silicium

G. Six

2004. ⟨hal-00162764⟩

• Communication dans un congrès

High-frequency extension of the transmission-line theory for an open line

A. Cozza, F. Canavero, B. Demoulin

12ème Colloque International et Exposition sur la Compatibilité Electromagnétique, CEM'04, 2004, Toulouse, France. pp.165-170. ⟨hal-00509722⟩

• Article dans une revue

Noise modeling in fully depleted SOI MOSFETs

G. Pailloncy, B. Iniguez, Gilles Dambrine, J.P. Raskin, Francois Danneville

Solid-State Electronics, 2004, 48, pp.813-825. ⟨hal-00133880⟩

• Communication dans un congrès

Composants balistiques

S. Bollaert

Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, 2004, La Grande Motte, France. ⟨hal-00133910⟩

• Communication dans un congrès

Etude de l'interaction électron-électron dans les structures lasers à cascade quantique par la méthode de Monte Carlo

Olivier Bonno, Jean-Luc Thobel, François Dessenne

Journées Nationales Nanoélectronique, 2004, Aussois, France. ⟨hal-00133958⟩

• Autre publication scientifique

Etude des aspects électrothermiques de la filière HEMT AlGaN/GaN pour application de puissance hyperfréquence

Raphaël Aubry

2004. ⟨hal-00133927⟩

• Communication dans un congrès

Transition from ballistic to ohmic transport in T-branch junctions at room temperature in GaInAs/AlInAs heterostructures

Jean-Sebastien Galloo, Emmanuelle Pichonat, Yannick Roelens, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy, Javier Mateos, Tomás González, Hervé Boutry, Vincent Bayot, Lukasz Bednarz, Isabelle Huynen

We have developed technolow based on GaInAs/AIInAs for building ballistic devices working at room temperature. We present processes for ballistic devices (T-Branch Junctions (TBJs), YBranch Junctions (YBJs)). Then we present DC Characterization of TBJs to show the transition from ballistic to ohmic...

16th IPRM. 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, May 2004, Kagoshima, Japan. pp.378-381, ⟨10.1109/ICIPRM.2004.1442734⟩. ⟨hal-00133896⟩