Publicaciones

• Communication dans un congrès

Démultiplexeur nanométriques à plasmons

Maxime Beaugeois, L. Dobrzynski, Abdellatif Akjouj, Bahram Djafari-Rouhani, Jerome O. Vasseur, Mohamed Bouazaoui, Jean-Pierre Vilcot, J.P. Vigneron

9èmes Journées de la Matière Condensée, JMC9, 2004, Nancy, France. ⟨hal-00141208⟩

• Autre publication scientifique

Etude des propriétés électroniques et structurelles d'impuretés, de défauts ponctuels et de boites quantiques auto-assemblées présents dans un cristal d'arséniure de gallium par microscopie a effet tunnel

G. Mahieu

2004. ⟨hal-00162797⟩

• Autre publication scientifique

Simulations de microscopie à effet tunnel : application à la surface (100) du silicium et aux molécules physisorbées

M. Dubois

2004. ⟨hal-00162799⟩

• Communication dans un congrès

De micro à nanotechnologies : rupture ou continuité

A. Cappy

Forum du Futur, 2004, Paris, France. ⟨hal-00133916⟩

• Article dans une revue

Radiometric sensor for temperature control of food processing

V. Thomy, Luc Dubois, C. Vanoverschelde, J.P. Sozanski, J. Pribetich

IEEE Sensors Journal, 2004, 4, pp.772-778. ⟨hal-00133930⟩

• Article dans une revue

Generation and detection of terahertz pulses using post-process bonding of low-temperature-grown GaAs and AlGaAs

L. Desplanque, Jean-Francois Lampin, F. Mollot

Applied Physics Letters, 2004, 84, pp.2049-2051. ⟨hal-00018499⟩

• Communication dans un congrès

Determination by indentation method of sputtered PZT films mechanical parameters for Si-MEMS applications

Patrick Delobelle, Olivier Guillon, E. Fribourg-Blanc, Caroline Soyer, Denis Remiens, Eric Cattan

2004. ⟨hal-00020029⟩

• Communication dans un congrès

Strain, size and composition of InAs quantum sticks, embedded in InP, determined via X-ray anomalous diffraction and diffraction anomalous fine structure in grazing incidence

A. Letoublon, V. Favre-Nicolin, Hubert Renevier, M.G. Proietti, C. Monat, M. Gendry, O. Marty, C. Priester

2004, pp.11-15. ⟨hal-00140720⟩

• Article dans une revue

Characterization and fabrication of InGaAsP/InP deep-etched micro-waveguides

Arnaud Beaurain, Samuel Dupont, Hongwu Li, Jean-Pierre Vilcot, Christiane Legrand, Joseph Harari, Monique Constant, Didier Decoster

InGaAsP/InP micro-waveguides are fabricated by a deep (>3 μm) Reactive Ion Etching. The devices losses are measured by the Fabry–Perot technique for guide width contained between 10 μm and 0.5 μm. The measured losses range from 2 dB/mm to 14 dB/mm.

Microwave and Optical Technology Letters, 2004, 40 (3), pp.216-218. ⟨10.1002/mop.11333⟩. ⟨hal-00141171⟩

• Communication dans un congrès

Transmission Electron Microscopy analysis of MOSFET structures

A. Laszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, Emmanuel Dubois, G. Larrieu, X. Wallart, Xing Tang

School on Materials Science and Electron Microscopy, Emerging Microscopy for Advanced Materials Development-Imaging and Spectroscopy on Atomic Scale, 2004, Berlin, Germany. ⟨hal-00140997⟩