Publicaciones

• Article dans une revue

The evaluation of surface residual stress in aeronautic bearings using the Barkhausen noise effect

S. Desvaux, Marc Duquennoy, J. Gualandri, Mohamed Ourak

NDT & E International, 2004, 37, pp.9-17. ⟨hal-00142004⟩

• Communication dans un congrès

Novel 2D micronib ionization sources for nano electrospray-mass spectrometry (ESI-MS)

S. Le Gac, C. Rolando, S. Arscott

Thermal and Mechanical Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems - EuroSimE 2004, May 2004, Brussels, Belgium. pp.305-309, ⟨10.1109/ESIME.2004.1304055⟩. ⟨hal-02347786⟩

• Communication dans un congrès

Sur la signification des valeurs du module d'Young déterminé par nanoindentation dans le cas des matériaux ferroélectriques

Patrick Delobelle, Olivier Guillon, E. Fribourg-Blanc, Caroline Soyer, Denis Remiens

2004. ⟨hal-00020033⟩

• Communication dans un congrès

Fabrication and creep behavior of SiCN(O) nanocomposites

Mohamed Amara, R. Dez, Sylvie Foucaud, D. Bahloul-Hourlier, P. Goursat, Nathalie Herlin-Boime

4th International Symposium on Nitrides, 2004, Belgium. pp.281-285. ⟨hal-00248025⟩

• Communication dans un congrès

LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide. Application to HEMT's devices

Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, M. Magis, Maurice Tordjman, Raphaël Aubry, Nicolas Sarazin, M. Peschang, Erwan Morvan, Sylvain Laurent Delage, J. Di Persio, Raymond Quéré, B. Grimbert, Virginie Hoel, E. Delos, Damien Ducatteau, Christophe Gaquière

This paper reports on the LP-MOCVD growth optimisation of GaAlN/GaN heterostructures grown on Silicon Carbide substrates for HEMT applications, and on the first device performances obtained with these structures. The critical impact of some growth parameters on the physical properties of the GaAlN/...

The Twelfth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XII), May 2004, Lahina, United States. pp.107-112, ⟨10.1557/PROC-798-Y10.26⟩. ⟨hal-00162796⟩

• Autre publication scientifique

Multiplicateurs de fréquence et métamatériaux en technologie fin line

T. Decoopman

2004. ⟨hal-00162760⟩

• Article dans une revue

Versatile bondpad report process for non-planar compound semiconductor devices

S. Garidel, Jean-Pierre Vilcot, M. Zaknoune, P. Tilmant

Microelectronic Engineering, 2004, 71, pp.358-362. ⟨hal-00162776⟩

• Article dans une revue

Safety analysis method of a system exposed to electromagnetic risks

B. Demoulin, R. Kassi, D. Degardin, J. Baudet

La Revue de l'électricité et de l'électronique, 2004, 8, pp.57-63. ⟨hal-00162795⟩

• Autre publication scientifique

Conception et réalisation technologique de commutateurs micro-électromécaniques en bande K pour antennes à réseaux déphasés

M. Fryziel

2004. ⟨hal-00162762⟩

• Autre publication scientifique

Modélisation grand signal de MOSFETs en hyperfréquences : application à l'étude des non-linéarités des filières SOI

A. Siligaris

2004. ⟨hal-00162763⟩