Publicaciones

• Communication dans un congrès

A new infrared microsensor

Katir Ziouche, Mohamed Boutchich, M. Achani, Pascale Godts, Didier Leclercq

Sensor 2003, 2003, Nuremberg, Germany. ⟨hal-00146386⟩

• Communication dans un congrès

Déplacement de microvolumes de liquides dans des microsystèmes à vocation biologique

F. Caron, Julien Carlier, S. Arscott, V. Thomy, J.C. Camart, P. Tabourier, C. Druon

16ème Congrès Français de Mécanique, 2003, Nice, France. ⟨hal-00146395⟩

• Autre publication scientifique

Conception, réalisation et test d'un microsystème de transport alimenté à distance

Philippe Basset

2003. ⟨hal-00146397⟩

• Autre publication scientifique

Dispositifs optoélectroniques basés sur des matériaux organiques : conception, fabrication et caractérisation

M. Berliocchi

2003. ⟨hal-00162731⟩

• Autre publication scientifique

Etude et réalisation d'un système radar coopératif destiné aux systèmes de transports guidés

B. Fremont

2003. ⟨hal-00162744⟩

• Communication dans un congrès

Tapping-mode HF nanometric lateral gap resonators : experimental and theory

E. Quevy, Bernard Legrand, D. Collard, L. Buchaillot

2003, pp.879-882. ⟨hal-00146456⟩

• Autre publication scientifique

Vers une compréhension des mécanismes d'endommagement des dispositifs microsystèmes

O. Millet

2003. ⟨hal-00146420⟩

• Communication dans un congrès

A 100V-IC for the remote powering and control of a microrobot using an electrostatic ciliary motion system

Philippe Basset, A. Kaiser, B. Stefanelli, M. Walenne, D. Collard, L. Buchaillot

2003, pp.1711-1713. ⟨hal-00146436⟩

• Communication dans un congrès

Electron microscopy analysis of MOSFET structures

J. Katcki, J. Ratajczak, A. Laszcz, F. Phillipp, Emmanuel Dubois, Guilhem Larrieu, Xavier Baie, Xiaohui Tang

IEEE 6th Symposium Diagnostics and Yield 2003, Jun 2003, Warsaw, Poland. pp.67-70. ⟨hal-00146402⟩

• Article dans une revue

Very low Schottky barrier to n-type silicon with PtEr-stack silicide

Xing Tang, J. Katcki, Emmanuel Dubois, N. Reckinger, J. Ratajczak, G. Larrieu, P. Loumaye, O. Nisole, V. Bayot

We investigate Er silicide formed on n-type silicon. In order to protect the Er from oxidation during the formation of Er silicide in non-UHV conditions, a Pt layer is deposed successively on top of Er layer. Surprisingly, we observe that Pt remains essentially unaffected in the formation of Er...

Solid-State Electronics, 2003, 47 (11), pp.2105-2111. ⟨10.1016/S0038-1101(03)00256-9⟩. ⟨hal-00146401⟩