Publicaciones

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  • Communication dans un congrès

Etude et réalisation de transducteurs millimétriques

Anne-Christine Hladky, S. Alkoy, D.C. Markley, R.J. Meyer, W.J. Hughes, J. Cochran, R.E. Newnham

2002, pp.256-259. ⟨hal-00147778⟩

  • Communication dans un congrès

La filière GaN pour les applications hyperfréquences

Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, Matthieu Werquin, B. Boudart, Zahia Bougrioua, Simone Cassette, Yvon Cordier, Sylvain Laurent Delage, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger, Damien Ducatteau

9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint Aygulf, France. ⟨hal-00149734⟩

  • Article dans une revue

Charge injection in individual silicon nanoparticles deposited on a conductive substrate

Thierry Melin, D. Deresmes, D. Stievenard

Applied Physics Letters, 2002, 81, pp.5054-5056. ⟨hal-00149665⟩

  • Autre publication scientifique

Systèmes dédiés de télécommunication pour les transports terrestres

M. Heddebaut

2002. ⟨hal-00149881⟩

  • Communication dans un congrès

Controlled charge injection in semiconductor nanoparticles

Thierry Melin, D. Deresmes, D. Stievenard

Proceedings of the 2002 Materials Research Society Fall Meeting, 2002, Boston, MA, United States. ⟨hal-00149956⟩

  • Communication dans un congrès

AlGaN/GaN HEMT for RF power applications

Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougria, S. Cassette, E. Chartier, Y. Cordier, Gilles Dambrine, E. Delos, M.A. Poisson, S. Delage, B. Dessertenne, D. Ducatteau, M. Elkhou, D. Floriot, Christophe Gaquière, Et Al.

10th European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium, GAAS 2002, 2002, Milano, Italy. ⟨hal-00149736⟩

  • Article dans une revue

Load impedance influence of the IDD(VDS) characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in large signal regime at 4 GHz

Nicolas Vellas, Christophe Gaquière, Frédéric Bue-Erkmen, Yannick Guhel, B. Boudart, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Jean-Claude de Jaeger

IEEE Electron Device Letters, 2002, 23, pp.246-249. ⟨hal-00149699⟩

  • Communication dans un congrès

Etude des contacts ohmiques et Schottky sur nitrure de gallium pour composants à effets de champ

Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, Matthieu Werquin, B. Boudart, Simone Cassette, Yvon Cordier, Sylvain Laurent Delage, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger, Damien Ducatteau, H. Gerard

GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France. ⟨hal-00149717⟩