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  • Communication dans un congrès

Réalisation de transistors InAlAs/InGaAs sur substrats reportés

I. Duszynski, Nicolas Wichmann, S. Bollaert, X. Wallart, Sylvie Lepilliet, A. Cappy, E. Jalaguier

Actes des 9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, St Aygulf, France. ⟨hal-00147827⟩

  • Communication dans un congrès

Long dephasing time and high temperature ballistic transport in an InGaAs open quantum dot

Yannick Roelens, Benoit Hackens, Sébastien Faniel, Cédric Gustin, Hervé Boutry, Isabelle Huynen, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy

International Conference on Superlattices Nano-structures and Nano-devices, ICSNN-02, Jul 2002, Toulouse, France. ⟨hal-00147857⟩

  • Communication dans un congrès

An empirical non-linear model for MOSFET

A. Siligaris, Gilles Dambrine, Francois Danneville

High Frequency Device Modelling Workshop, 2002, Leuven, Belgium. ⟨hal-00147855⟩

  • Communication dans un congrès

Full impedance approach to modeling electrode effects on SAW propagating under a periodic metal grating

V. Zhang, Jean-Etienne Lefebvre, Tadeusz Gryba

2002, pp.347-350. ⟨hal-00147808⟩

  • Communication dans un congrès

Mise en évidence des effets de pièges sur le comportement électrique de transistors HEMT's AlGaN/GaN pour les applications hyperfréquences à haute linéarité

M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, N. Vellas, A. Minko, Virginie Hoel, D. Ducatteau, E. Delos, M.A. Poisson, F. Semond, Jean-Claude de Jaeger

GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France. ⟨hal-00149739⟩

  • Communication dans un congrès

Reliability of polysilicon microstructures : in situ test benches

O. Millet, L. Buchaillot, D. Collard

2002, pp.1795-1800. ⟨hal-00148790⟩

  • Communication dans un congrès

Réalisation technologique d’un transistor à effet de champ dans la filière GaN

B. Boudart

Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, 2002, La Plagne, France. ⟨hal-01654488⟩