Publicaciones

Affichage de 14611 à 14620 sur 16064


  • Communication dans un congrès

Caractérisation de transistors à effet de champ à base de GaN

Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, Matthieu Werquin, B. Boudart, Simone Cassette, Yvon Cordier, Sylvain Laurent Delage, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger, Damien Ducatteau, H. Gerard

3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, 2002, La Plagne, France. ⟨hal-00149714⟩

  • Article dans une revue

m-line spectroscopy for optical analysis of thick LiNbO3 layers grown on sapphire by radio-frequency multi-step sputerring

El Hadj Dogheche, X. Lansiaux, Denis Remiens

Journal of Applied Physics, 2002, 81, pp.1165-1168. ⟨hal-00149628⟩

  • Article dans une revue

Generation of surface acoustic waves in non-piezoelectric solids using edge bonded rotated Y-cut lithium niobate transducers

Jean-Michel Rouvaen, A. Ait-Ahsene, Atika Rivenq, P. Logette, Philippe Goutin

Journal of Physics D: Applied Physics, 2002, 35, pp.378-385. ⟨hal-00149731⟩

  • Article dans une revue

La sismique réflexion haute résolution, un outil pour la reconnaissance des couches superficielles

Bogdan Piwakowski, C. Leonard, I. Shahrour

Revue française de Géotechnique, 2002, 101, pp.23-33. ⟨10.1051/geotech/2002101023⟩. ⟨hal-00250179⟩

  • Communication dans un congrès

Réalisation technologique d’un transistor à effet de champ dans la filière GaN

B. Boudart

Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, 2002, La Plagne, France. ⟨hal-01654488⟩

  • Communication dans un congrès

New antenna-sensor for temperature control by microwave radiometry

V. Thomy, Luc Dubois, C. Vanoverschelde, J.P. Sozanski, J. Pribetich

First IEEE International Conference on Sensors, SENSORS 2002, 2002, Orlando, FL, United States. pp.1308-1312. ⟨hal-00148326⟩

  • Communication dans un congrès

Monte Carlo study of electron transport in AlSb/InAs HEMTS structures

Jean-Luc Thobel, Olivier Bonno, Hervé Boutry, François Dessenne

A Monte Carlo model of in-plane electron transport in InAs/AlSb heterostructures is presented. Special attention has been paid to the effects of nonparabolicity, which are crucial for such a narrow gap system. Electron states are obtained from a Ben Daniel-Duke equation with energy-dependent...

14th Indium Phosphide and Related Materials Conference, May 2002, Stockholm, Sweden. pp.185-188, ⟨10.1109/ICIPRM.2002.1014301⟩. ⟨hal-00148647⟩

  • Communication dans un congrès

Etude de la réactivité des surfaces d'alliages GaInAs (100) à un flux de phosphore

X. Wallart, C. Priester, D. Deresmes, F. Mollot

9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint Aygulf, France. ⟨hal-00148676⟩

  • Communication dans un congrès

High temperature magneto-acoustic anomalies in active material for parametric phase conjugation

R. Klopotov, L. Krutyyansky, Vladimir Preobrazhensky

Proceedings of the 16th International Symposium on Nonlinear Acoustics, ISNA-16, 2002, Moscow, Russia. ⟨hal-00148683⟩