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  • Article dans une revue

Radiation characteristics and performances of millimeter wave horn-fed gaussian beam antennas

Ronan Sauleau, Philippe Coquet, Daniel Thouroude, J.P. Daniel, T. Matsui

IEEE Transactions on Antennas and Propagation, 2003, 51 (3), pp.378-387. ⟨hal-00549357⟩

  • Article dans une revue

Beam focusing using 60-GHz Fabry-Perot resonators with uniform and non-uniform metal grids

Ronan Sauleau, Philippe Coquet, Daniel Thouroude, J.P. Daniel

Electronics Letters, 2003, 39 (4), pp.341-342. ⟨hal-00549353⟩

  • Communication dans un congrès

Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures

B. Boudart, Jean-François Llibre, D. Briand, Boubekeur Tala-Ighil, H. Toutah, Yannick Guhel, Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougrioua, Marianne Germain, Ingrid Moerman

13es Journées Nationales Microondes, 2003, Lille, France. ⟨hal-01654259⟩

  • Communication dans un congrès

Caractérisation opto-micro-ondes de commutateurs optiques, application aux mesures d'indices de réfraction

Samuel Dupont, K. Blary, Jean-Pierre Vilcot, J. Chazelas, H. Li, Didier Decoster

2003, pp.5C-7. ⟨hal-00146560⟩

  • Communication dans un congrès

Electro-optical probe dedicated to the on-line testing of electronic systems

B. Pannetier, P. Lemaitre-Auger, S. Tedjini, El Hadj Dogheche, Denis Remiens

2003, pp.275. ⟨hal-00162741⟩

  • Communication dans un congrès

Evaluation de la dégradation de béton par ondes ultrasonores haute fréquence

Bogdan Piwakowski, M. Goueygou, S. Ould-Naffa, F. Buyle-Bodin

GDR Ondes, Contrôle non destructif, 2003, Paris, France. ⟨hal-00250186⟩

  • Communication dans un congrès

Transmission electron microscopy analysis of silicides used in ALSB-SOI MOSFET structures

J. Katcki, J. Ratajczak, A. Laszcz, F. Phillipp, Emmanuel Dubois, Guilhem Larrieu, Julien Penaud, Xavier Baie

In Accumulated Low Schottky Barrier metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFET) on SOl structures, very thin silicide layers are used for ohmic contacts. Silicide contacts form due to metallurgical reaction of metal with semiconductor. In order to get a broad vision of the most...

Conference on Microscopy of Semiconducting Materials, Mar 2003, Cambridge, United Kingdom. pp.479-482, ⟨10.1201/9781351074636-110⟩. ⟨hal-00250182⟩

  • Communication dans un congrès

Accordabilité d'un circuit microonde par adjonction d'un substrat cristal liquide

Nicolas Tentillier, Bertrand Splingart, Erick Paleczny, Jean-François Legier, Christian Legrand

Treizièmes Journées Nationales Micro-ondes (JNM 2003), May 2003, Lille, France. pp.3D-4. ⟨hal-00146562⟩

  • Article dans une revue

Actionneurs films minces pour contrôle santé de structures

E. Fribourg-Blanc, M. Dupont, D. Osmont, Eric Cattan, Denis Remiens

Instrumentation, Mesure, Métrologie, 2003, 3, pp.225-237. ⟨hal-00146476⟩