Publicaciones

• Communication dans un congrès

IF MEMS filters for mobile communication

E. Quevy, D. Galayko, Bernard Legrand, C. Renaux, C. Combi, D. Flandre, L. Buchaillot, D. Collard, B. Vigna, A. Kaiser

2001, pp.733-736. ⟨hal-00152458⟩

• Communication dans un congrès

Antennes intégrées multicouches. Caractérisation diélectriques et applications

Marjorie Grzeskowiak, Latifa Achrait-Furlan, Eric Vestiel, Jean Vindevoghel

Des procédés de réalisation d’antennes micro-ondes en technologie micro-rubans multicouches sont décrits. La gamme de fonctionnement des antennes s’étend jusqu’à 24 GHz. Une méthode originale de caractérisation à 24 GHz des propriétés diélectriques de la couche émissive de l’antenne est exposée. Un...

TELECOM'2001 & 2ème JFMMA, Oct 2001, Casablanca, Maroc. pp.1-6. ⟨hal-02196876⟩

• Article dans une revue

Detection of picosecond electrical pulses using the intrinsic Franz-Keldysh effect

Jean-Francois Lampin, L. Desplanque, F. Mollot

We report time-resolved measurements of ultrafast electrical pulses propagating on a coplanar transmission line using the intrinsic Franz-Keldysh effect. A low-temperature-grown GaAs layer deposited on a GaAs substrate allows generation and also detection of ps pulses via electroabsorption sampling...

Applied Physics Letters, 2001, 78 (26), pp.4103-4105. ⟨10.1063/1.1381030⟩. ⟨hal-00018479⟩

• Communication dans un congrès

ECR-silicon nitride passivation of III-V transistors

S. Shapoval, V. Gurtovoi, A. Kovalchuk, Christophe Gaquière

XXV Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2001, 2001, Cagliari, Sardinia, Italy. ⟨hal-00152674⟩

• Article dans une revue

Growth of strained Ga_1-xIn_xP layers on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy: similarities and differences with the growth of strained arsenides

X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot

Using reflection high energy electron diffraction and atomic force microscopy, the growth of Ga1−xInxP alloys on GaP (0 0 1) with x varying from 0.2 to 1 (InP) is investigated and compared to that of arsenides on GaAs (0 0 1) or InP (0 0 1). At 520°C, the evolution of the critical thickness for 3D...

• Communication dans un congrès

Simulation et mesure du coefficient de réflexion de structures hétérogènes

Latifa Achrait-Furlan, T. Lasri, Ahmed Mamouni

Proceedings of TELECOM'2001 & 2ème JFMMA, 2001, Casablanca, Maroc. pp.1C-5. ⟨hal-00152058⟩

• Communication dans un congrès

Numerical homogenization techniques applied to active fiber composites

E. Lenglet, Anne-Christine Hladky, E. Deletombe

Proceedings of the 17th International Congress on Acoustics, 2001, Rome, Italy. ⟨hal-00151707⟩

• Communication dans un congrès

60 GHz 420 mW/mm low gate current GaInAs/InP composite channel HEMT on InP substrate

Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, X. Wallart, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger

XXV Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2001, May 2001, Cagliari, Sardinia, Italy. ⟨hal-00152631⟩

• Communication dans un congrès

High performance AlGaN/GaN HEMTs on a resistive silicon substrate

Virginie Hoel, Y. Guhel, N. Vellas, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies

11th European Heterostrucrure Technology Workshop, HETECH 01, 2001, Padova, Italy. ⟨hal-00152670⟩

• Communication dans un congrès

Du matériau au composant : le modulateur électro-optique à ondes progressives

Didier Decoster, J.F. Larchanche, B. Bellini

Réunion finale CTI Polymères, 2001, Cachan, France. ⟨hal-00152541⟩