Publicaciones

Affichage de 15111 à 15120 sur 16109


  • Article dans une revue

Micromachined electromechanical devices for integrated wireless communication transceivers : the IST MELODICT project

A. Kaiser

MST News, 2001, 2, pp.7-8. ⟨hal-00152200⟩

  • Article dans une revue

Very low-voltage digital-audio sigma delta modulator with 88 dB dynamic range using local switch bootstrapping

M. Dessouki, A. Kaiser

IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2001, 36, pp.349-355. ⟨hal-00152201⟩

  • Communication dans un congrès

SAW characteristics in a layered ZnO/GaAs structure for design of integrated SAW filters

V. Zhang, Fabrice Lefebvre, Tadeusz Gryba

2001, pp.261-264. ⟨hal-00151743⟩

  • Autre publication scientifique

Radar anticollision à corrélation : étude et réalisation

M. Saint-Venant

2001. ⟨hal-00162700⟩

  • Article dans une revue

Evidence of laser wavelength effect in picosecond ultrasonics : possible connection to interband transitions

Arnaud Devos, Catherine Lerouge

Physical Review Letters, 2001, 86, pp.2669-2672. ⟨hal-00151688⟩

  • Autre publication scientifique

Modélisation par éléments finis du comportement des alliages à mémoire de forme

S. Rafanomezantsoa

2001. ⟨hal-00151684⟩

  • Communication dans un congrès

Power LDMOS design using an SOI RESURF architecture : on state / breakdown voltage trade-off

Emmanuel Dubois, K. Suzuki, E. Lampin

Franco-Swedish Workshop on SOI, 2001, Grenoble, France. ⟨hal-00152238⟩

  • Communication dans un congrès

Mechanical properties of thin film materials for the 2D numerical analysis of deep submicron CMOS technologies

V. Senez, G. Carlotti, I. de Wolf, R. Balboni, A. Benedetti, D. Piccolo, G. Mastracchio

Proceedings of the 2001 Material Research Society Fall Meeting, 2001, Boston, MA, United States. ⟨hal-00152221⟩

  • Communication dans un congrès

Analog design reuse : a case study. Very low-voltage analog Sigma-Delta modulator

M. Dessouki, A. Kaiser, M.M. Louërat, A. Greiner

2001, pp.353-360. ⟨hal-00152205⟩

  • Communication dans un congrès

0.12 µm gate length InAlAs/InGaAs HEMTs on transferred substrate

S. Bollaert, X. Wallart, Sylvie Lepilliet, A. Cappy, E. Jalaguier, S. Pocas, V. Aspar, J. Mateos-Lopez

2001, pp.171-174. ⟨hal-00151762⟩