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  • Article dans une revue

Determination of the electrical properties of 2.5nm thick silicon-based dielectric films : thermally grown SiOx

N. Pic, A. Glachant, S. Nitsche, J.Y. Hoarau, D. Goguenheim, D. Vuillaume, A. Sibai, Jean-Luc Autran

Journal of Non-Crystalline Solids, 2001, 280, pp.69-77. ⟨hal-00152161⟩

  • Communication dans un congrès

Micro-commutateurs à faible perte en gamme millimétrique (Mems)

N. Rolland-Haese, L. Buchaillot, L. Caille, P. Legry-Lefebvre, P.A. Rolland

Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France. ⟨hal-00152048⟩

  • Article dans une revue

On the non top-on-top vertical correlation in multistacked systems : the role of alloy spacer layers

C. Priester, G. Grenet

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2001, 64, 12, pp.125312/1-5. ⟨hal-00018657⟩

  • Communication dans un congrès

Emissivity measurement in microwave radiometric mammography (MRM)

Bertrand Bocquet, Roger Ringot, J.C. van de Velde, E. Constant

PhotonIcs and Electromagnetics Research Symposium, 2001, Osaka, Japan. pp.214. ⟨hal-00152029⟩

  • Article dans une revue

H-Si doping profile in GaAs by scanning tunneling microscopy

B. Grandidier, S. Silvestre, J.P. Nys, Thierry Melin, D. Bernard-Loridant, D. Stievenard, E. Constant, Jacques Chevallier

Applied Physics Letters, 2001, 79, pp.3278-3280. ⟨hal-00152490⟩

  • Communication dans un congrès

Comportement électrique à haute température de transistors HEMT's AlGaN/GaN

Y. Guhel, B. Boudart, Virginie Hoel, M. Werquin, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Poisson, I. Daumiller, E. Kohn

Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France. ⟨hal-00152651⟩

  • Communication dans un congrès

Influence du dopage dans les transistors HEMT à canal composite pour amplification de puissance en ondes millimétriques

Didier Theron, Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, X. Wallart, Jean-Claude de Jaeger

Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, May 2001, Poitiers, France. ⟨hal-00152653⟩

  • Communication dans un congrès

Characterisation of GaN FETs under pulsed conditions : DC and RF measurements from room temperature up to 250°C

D. Theron, Christophe Gaquière, N. Vellas, B. Boudart, Y. Guhel, Jean-Claude de Jaeger

Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2001, 2001, New Orleans, LA, United States. ⟨hal-00152673⟩