Publicaciones

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  • Chapitre d'ouvrage

Techniques micro-ondes et traitement de signal associé pour la reconstruction d'un profil de permittivité

D. Glay, T. Lasri, A. Mamouni

LEPOUTRE F., PLACKO D., SURREL Y. Instrumentation pour les mesures physiques, Hermès, pp.563-570, 2001. ⟨hal-00132316⟩

  • Chapitre d'ouvrage

Positionnement d'une source micro-onde en présence de trajets multiples

J.C. Cousin, A. Benlarbi-Delai, R. Ringot, A. Mamouni

LEPOUTRE F., PLACKO D., SURREL Y. Instrumentation pour les mesures physiques, Hermès, pp.555-562, 2001. ⟨hal-00132322⟩

  • Article dans une revue

A miniature class V flextensional cymbal transducer with directional beam patterns : the double driver

J. Zhang, Anne-Christine Hladky, W.J. Hughes, R.E. Newham

Ultrasonics, 2001, 39, pp.91-95. ⟨hal-00151685⟩

  • Communication dans un congrès

Microsystem technology : trends and possible application for textile

D. Collard, L. Buchaillot, Bernard Legrand

Conference on Modern Textile Factory, HIGHTEX 2001, 2001, Lille, France. ⟨hal-00152473⟩

  • Autre publication scientifique

Structure électronique et transport dans une jonction moléculaire

Christophe Krzeminski

2001. ⟨hal-00152543⟩

  • Communication dans un congrès

MEMS for mobile communication

E. Quevy, C. Renaux, L. Buchaillot, D. Flandre, D. Collard

Proceedings of the 13th European Microelectronics and Packaging Conference, EMPC 2001, 2001, Strasbourg, France. ⟨hal-00152220⟩

  • Article dans une revue

Relationship between surface reconstruction and morphology of strained Ga1-xInxP layers grown on GaP(001) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot

Applied Physics Letters, 2001, 78, pp.2961. ⟨hal-00018480⟩

  • Communication dans un congrès

Characterisation of GaN FETs under pulsed conditions : DC and RF measurements from room temperature up to 250°C

D. Theron, Christophe Gaquière, N. Vellas, B. Boudart, Y. Guhel, Jean-Claude de Jaeger

Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2001, 2001, New Orleans, LA, United States. ⟨hal-00152673⟩

  • Article dans une revue

H-Si doping profile in GaAs by scanning tunneling microscopy

B. Grandidier, S. Silvestre, J.P. Nys, Thierry Melin, D. Bernard-Loridant, D. Stievenard, E. Constant, Jacques Chevallier

Applied Physics Letters, 2001, 79, pp.3278-3280. ⟨hal-00152490⟩