Publicaciones

• Article dans une revue

A hybrid column generation-based heuristic for solving the parallel machine scheduling problem with sequence-dependent set-up times

Luis Fernando Pérez Armas, Samuel Deleplanque, Riad Aggoune, Stefan Creemers

This study explores a hybrid quantum–classical algorithm for the parallel machine scheduling problem with sequence-dependent setup times, a key problem with applications across multiple industries. We propose a column-generation-based heuristic that combines a classical linear relaxation for the...

Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, 2025, 383 (2310), pp.20240380. ⟨10.1098/rsta.2024.0380⟩. ⟨hal-05418590⟩

• Thèse

Thermal optimization of RF commutators based on phase change material for 5G communications and beyond, Optimisation thermique des commutateurs RF basés sur les matériaux à changement de phase pour les communications 5G et au-delà

Corentin Mercier

The exponential growth in global data exchange is placing increasing demands on high-performance communication technologies. Among emerging solutions, radio-frequency (RF) switches based on phase-change materials (PCMs), which modulate electrical conductivity via thermally induced phase transitions..., L'augmentation massive des échanges de données à l'échelle mondiale impose la conception de technologies de communication à haute performance. Les commutateurs radiofréquence (RF) à base de matériaux à changement de phase (PCM), dont la conductivité électrique est modulée par une...

Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lille, 2025. English. ⟨NNT : 2025ULILN041⟩. ⟨tel-05615711⟩

• Article dans une revue

Optimizing bin packing problem on quantum annealers: A QUBO-based approach and scalability challenges

Samuel Deleplanque, Amélia Durbec, Amina El Yaagoubi

Optimization and Engineering, 2025, ⟨10.1007/s11081-025-10047-4⟩. ⟨hal-05418538⟩

• Communication dans un congrès

Scanning Microwave Microscopy of Quantum Materials with a Nano-Coaxial Probe

Sangjun Noh, Clément Lenoir, Mohamed Sebbache, Philip Hemmer, Hung-Ju Lin, Johannes Hoffmann, Kamel Haddadi, Peter Burke

We present a hybrid measurement platform that integrates super-resolution fluorescence microscopy with an open-ended nano-coaxial scanning microwave microscope (SMM). We demonstrate this system on diamond particles, which simultaneously emit bright fluorescence from nitrogen-vacancy (NV) centers....

2025 IEEE Microwaves, Antennas, and Propagation Conference (MAPCON), Dec 2025, Kochi, India. pp.1-4, ⟨10.1109/MAPCON65020.2025.11426652⟩. ⟨hal-05620328⟩

• Article dans une revue

Microfabricated multi-axis cell for integrated atomic devices

L Péroux, A Dewilde, A Mursa, A Mazzamurro, J Bonhomme, Q Tanguy, E Klinger, L Gauthier-Manuel, O Gaiffe, A. Talbi, Rodolphe Boudot, P. Pernod, Jean-François Clément, V Maurice, N Passilly

Abstract Microfabricated alkali vapor cells enable the miniaturization of atomic sensors, but require collective wafer-level integration of complex features. In many applications-including magnetometers, gyroscopes, magneto-optical traps, and fluorescence imaging-multiple optical accesses are...

Journal of Physics: Photonics, 2025, 8 (1), pp.015022. ⟨10.1088/2515-7647/ae2710⟩. ⟨hal-05438641⟩

• Thèse

Van der Waals epitaxy of TaSe₂ and HfSe₂-based heterostructures on semiconducting substrates, Épitaxie de van der Waals d’hétérostructures à base de TaSe₂ et HfSe₂ sur substrats semiconducteurs

Corentin Sthioul

Layered transition metal dichalcogenides (TMDCs) have attracted a significant attention in last two decades owing to the large variety of properties they offer together with the unique ability of two-dimensional (2D) materials be isolated in atomically thin layers or integrated in complex..., Les dichalcogénures de métaux de transition (TMDC) ont suscité un intérêt considérable au cours des deux dernières décennies en raison de la grande variété de propriétés qu'ils offrent, ainsi que de la capacité unique des matériaux bidimensionnels (2D) à pouvoir être isolés en couches...

Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lille, 2025. English. ⟨NNT : 2025ULILN045⟩. ⟨tel-05632474v2⟩

• Chapitre d'ouvrage

Rapport de conjoncture 2024 Section 08 Micro- et nanotechnologies, micro- et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Marie-Cécile Pera, Sébastien Cueff, Corinne Alonso, Jean-François Bryche, Jérôme Castellon, Benoit Charlot, Stéphane Collin, Nathalie Destouches, Sukdheep Dhillon, Yannick Dusch, Katia Grenier, Claire Guéné, Virginie Hoel, Évelyne Martin, Jean-Luc Moncel, Denys Nikolayev, Sylvie Renaud, Guillaume Saint-Girons, Patrice Salzenstein, Frédéric Sarry, Frédéric van Dau

La Section 08 du CNRS rassemble 368 chercheurs, soit la 5e section la plus nombreuse. Ses thématiques couvrent l’ingénierie dans des domaines à fort impact sociétal comme l’énergie électrique, les communications et la santé. La période récente a été marquée par une plus forte prise en compte des...

CNRS. Rapport de conjoncture, CNRS, pp.125-162, 2025. ⟨hal-05493567⟩

• Thèse

Linearity and reliability study of GaN HEMT for millimeter-wave applications, Étude de la linéarité et de la fiabilité de composants HEMT GaN pour des applications en gamme d’ondes millimétriques

Lyes Ben-Hammou

GaN HEMTs have already demonstrated outstanding RF performance at millimeter-wave frequencies, establishing them as the leading technology for high-power and high-efficiency applications such as radar, space systems, and 5G/6G communications. With these capabilities now largely validated, research..., Les transistors HEMT à base de nitrure de gallium (GaN) ont déjà démontré d’excellentes performances RF aux ondes millimétriques, s’imposant comme une technologie clé pour les applications à forte puissance et à haut rendement telles que le radar et les systèmes spatiaux, et constituant un candidat...

Physics [physics]. Université de Lille, 2025. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-05400916⟩

• Thèse

Etude de la diode Schottky GaN à base de métaux réfractaires pour les applications spatiales à haute température et haute fréquence, Study of GaN Schottky diodes based on refractory metals for high-temperature, high-frequency space applications

Amir Al Abdallah

Les exigences croissantes en électronique haute température, motivées par des applications telles que le forage profond, l’aéronautique hypersonique ou encore l’exploration spatiale, imposent le développement de dispositifs capables de fonctionner au-delà des limites thermiques des technologies..., The growing demand for high-temperature electronics, driven by applications such as deep-well drilling, hypersonic aerospace systems, and space exploration, requires the development of devices capable of operating beyond the thermal limits of traditional silicon-based technologies. In the context...

Physique [physics]. Université de Lille, 2025. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-05400902⟩

• Thèse

Optimisation de procédés de fabrication pour le développement de transistors de puissance en technologie GaN, Optimisation of manufacturing processes for the development of power transistors using GaN technology

Adrien Bidaud

Cette thèse porte sur la conception et l’optimisation de transistors de puissance en nitrure de gallium (GaN), en se concentrant sur les transistors à haute mobilité électronique latéraux (HEMTs) et les transistors MOSFETs verticaux à tranchée (V-T-MOSFETs). L’objectif est d’assurer un..., This thesis investigates the design and optimization of gallium nitride (GaN) power transistors, focusing on lateral high-electron-mobility transistors (HEMTs) and vertical trench MOSFETs (V-T-MOSFETs). The objective is to achieve robust and reliable operation in the 600–1200 V class while...

Physique [physics]. Université de Lille, 2025. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-05400874⟩