Publicaciones

• Communication dans un congrès

Mesure magnéto-électrique sur hétéro-structure Pt/PMN-PZT/Pt/YIG

Jianyun Lian, Freddy Ponchel, Nicolas Tiercelin, Denis Remiens, T. Lasri, Ying Chen, Genshui Wang

Ce travail s’inscrit dans le contexte des structures ferroïques artificielles. Il s’agit ici d’une couche mince de YIG déposée sur un substrat céramique de PMN-PZT. Un banc de mesure dédié permet de mesurer la susceptibilité magnétique du YIG en fonction du champ électrique appliqué à la céramique...

Actes des 15èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2018, Mar 2018, Paris, France. ⟨hal-03564232⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation d'absorbant métamatériau PENiFe en bandes S et L

Nicolas Fernez, Younès Arbaoui, Ronan Niemiec, Philippe Agaciak, Ludovic Burgnies, Maalouf Azar, Eric Lheurette, Alexis Chevalier, Véronique Sadaune, Patrick Queffelec, Vincent Laur, Didier Lippens

JCMM 2018, Mar 2018, Paris, France. ⟨hal-03047429⟩

• Communication dans un congrès

Élargissement et décalages fréquentiels de l’absorption pour une métasurface aléatoire à 200 GHz

Nicolas Fernez, Guillaume Ducournau, Frédéric Garet, Christophe Boyaval, Eric Lheurette, Jean-Louis Coutaz

15emes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, Mar 2018, Paris, France. ⟨hal-02014080⟩

• Thèse

Photodétecteurs rapides à la longueur d’onde de 1550 nm pour la génération et la détection d’ondes sub-THz et THz, Fast photodetectors at 1550 nm wavelength for generation and detection of sub-THz and THz waves

Maximilien Billet

Les photodétecteurs rapides sont des composants optoélectroniques qui permettent de générer et de détecter des ondes de fréquences sub-THz et THz. Cette thèse présente la conception, la fabrication et la caractérisation de photodétecteurs rapides à semiconducteurs III-V. L’objectif est de proposer..., Fast photodetectors are optoelectronic devices wich allow to generate and to detect electromagnetic waves at sub-THz and THz frequencies. This thesis presents the design, the fabrication and the characterization of fast photodetectors made using III-V semiconductors. The objective is to develop...

Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2018. Français. ⟨NNT : 2018LILUI008⟩. ⟨tel-03623295⟩

• Thèse

Photodétecteurs rapides à la longueur d'onde de 1550 nm pour la génération et la détection d'ondes sub-THz et THz, Fast photodetectors at 1550 nm wavelength for generation and detection of sub-THz and THz waves

Maximilien Billet

Les photodétecteurs rapides sont des composants optoélectroniques qui permettent de générer et de détecter des ondes de fréquences sub-THz et THz. Cette thèse présente la conception, la fabrication et la caractérisation de photodétecteurs rapides à semiconducteursIII-V. L’objectif est de proposer..., Fast photodetectors are optoelectronic devices which allowto generate and to detect electromagnetic waves at sub-THz and THz frequencies. This thesis presents the design, the fabrication and the characterization of fast photodetectors made using III-V semiconductors. The objective is to develop...

Physique [physics]. Université des sciences et technologies de Lille 1, 2018. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-01878224⟩

• Poster de conférence

CSI passif des plaques par corrélation de bruit

Lynda Chehami

1ère Journée Nationale SHM-France : Contrôle et Monitoring des Structures, Mar 2018, Saclay, France. . ⟨hal-03596310⟩

• Article dans une revue

Magnetically Reusable MnFe 2 O 4 Nanoparticles Modified with Oxo-Peroxo Mo (VI) Schiff-Base Complexes: A High Efficiency Catalyst for Olefin Epoxidation under Solvent-Free Conditions

Behnam Babaei, Abolfazl Bezaatpour, Mandana Amiri, Sabine Szunerits, Rabah Boukherroub

ChemistrySelect, 2018, 3 (10), pp.2877-2881. ⟨10.1002/slct.201703006⟩. ⟨hal-02375199⟩

• Thèse

Contribution au BIST in-situ : Intégration sur silicium d’un banc de caractérisation en bruit en bande D, In-situ BIST contribution : Silicon integration of a D-band noise characterization bench

Simon Bouvot

Les progrès des technologies Silicium permettent aujourd’hui de concevoir des circuits électroniques fonctionnant en bande de fréquence millimétrique, grâce à des composants de plus en plus performants. Ces évolutions sont possibles grâce aux performances des transistors, dont les fréquences de..., The progress of the silicon technologies allows today the design of electronic circuits working in the millimeter-wave frequency band, thanks to more and more efficient components. These evolutions are possible thanks to the performances of transistors, which operating frequencies beyond 300 GHz....

Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2018. Français. ⟨NNT : 2018LILUI010⟩. ⟨tel-03611246⟩

• Chapitre d'ouvrage

Temperature Effect on InGaN/GaN Multiwell Quantum Solar Cells Performances

Nabila Harchouch, Abdelkader Aissat, Abdelmoumene Laidouci, Jean-Pierre Vilcot

International Conference in Artificial Intelligence in Renewable Energetic Systems, pp.492-498, 2018, ⟨10.1007/978-3-319-73192-6_52⟩. ⟨hal-03311521⟩

• Poster de conférence

Outils mathématiques pour la description des ondes dans les milieux périodiques

Samuel Dupont, Joseph Gazalet, Jean-Claude Kastelik

Advanced Theoretical and Numerical Methods for waves in structured Media, Mar 2018, Paris, France. ⟨hal-04467509⟩