Publicaciones

• Communication dans un congrès

Développement d’un capteur chimique à partir d’un transducteur micro-ondes capacitif flexible innovant et de composites carbonés

Prince Bahoumina, Hamida Hallil, Jean-Luc Lachaud, Aymen Abdelghani, Kamel Frigui, Stéphane Bila, Dominique Baillargeat, Qing Zhang, Philippe Coquet, Carlos Paragua, Emmanuelle Pichonat, Henri Happy, Dominique Rebière, Corinne Dejous

Cette étude présente les premiers résultats sur la faisabilité d'un capteur capacitif chimique planaire résonant dans la bande des fréquences micro-ondes adapté pour la détection de gaz et pour les applications de communications sans fil. L’objectif consiste à développer un capteur...

XXèmes Journées Nationales Microondes (JNM), May 2017, Saint-Malo, France. ⟨hal-01521564⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation et modélisation non-linéaire du HEMT AlN/GaN sur substrat silicium et validation par mesure Load-Pull

Ahmad Al Hajjar, Julien Couvidat, Jean-Christophe Nallatamby, Raymond Quéré, F Medjdoub

– Cet article décrit la caractérisation et la modélisation grand-signal d'un transistor HEMT AlN/GaN sur substrat silicium de développement 2x50 µm avec une longueur de grille ultra courte du laboratoire IEMN de Lille. Ce composant a été optimisé pour la conception de circuits analogiques...

20èmes Journées Nationales Microondes, May 2017, Saint-Malo, France. ⟨hal-01661775⟩

• Communication dans un congrès

Détermination large bande de la permittivité diélectrique de substrats biosourcés et biodégradables

Ghizlane Boussatour, P.-Y. Cresson, B. Genestie, N. Joly, T. Lasri

XXèmes Journées Nationales Microondes,, May 2017, Saint-Malo, France. ⟨hal-04541846⟩

• Communication dans un congrès

Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré « on-state »

Hadhemi Lakhdar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, N. Defrance, Marie Lesecq, Jean-Claude de Jaeger, Nathalie Malbert

JNM 2017, May 2017, Saint Malo, France. ⟨hal-02462775⟩

• Communication dans un congrès

Premier Système de Mesure Petit Signaux Deux Ports Complètement Intégré en Bande G

Walid Aouimeur, José Moron Guerra, Ayssar Serhan, Sylvie Lepilliet, Thomas Quémerais, Daniel Gloria, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Daniel Arnould, Christophe Gaquière

Journées Nationales Micro-ondes, May 2017, Saint Malo, France. ⟨hal-02020034⟩

• Communication dans un congrès

Métamatériaux absorbants PE-NiFe en bandes L et S

Younès Arbaoui, Vincent Laur, Didier Lippens, Maalouf Azar, Eric Lheurette, Nicolas Fernez, Patrick Queffelec

JNM 2017, May 2017, Saint Malo, France. ⟨hal-03047409⟩

• Article dans une revue

Investigation of novel ferroelectric/gyromagnetic ferrite (Pb,Sr)TiO₃/Y₃Fe₅O₁₂ layered thin films with potential applications in magnetically and electrically tuning devices

Xin Guo, Ying Chen, Genshui Wang, Denis Remiens, Freddy Ponchel, Wenbin Zhang, Jianyun Lian, Xianlin Dong

We report on a novel ferroelectric/gyromagnetic ferrite layered composite thin film with two degrees of tuning freedoms. The structure was prepared by layered growth of Y3Fe5O12(YIG) ferrite, LaNiO3(LNO) electrode and (1 0 0) orientated Pb0.4Sr0.6TiO3 (PST) ferroelectric films on Si substrates by...

• Article dans une revue

Profiling and Modelling of HEVC Intra Video Encoder’s Energy Consumption for Next Generation WVSNS

Achraf Ait-Beni-Ifit, Othmane Alaoui-Fdili, Patrick Corlay, François-Xavier Coudoux, Driss Aboutajdine

Energy consumption is of main concern in the field of Wireless Video Sensor Networks (WVSNs) where energy resources are limited, consisting only in the battery of the sensor nodes that determines their lifetime. In this paper, we propose an empirical parametric model to predict the energy...

Lecture Notes in Computer Science, 2017, Lecture Notes in Computer Science, 10299, pp.472-482. ⟨10.1007/978-3-319-59647-1_34⟩. ⟨hal-03565939⟩

• Communication dans un congrès

Towards the ultimate goal of AlN-based HEMTs grown on silicon substrates

Stephanie Rennesson, Fabrice Semond, Maud Nemoz, Jean Massies, Sebastien Chenot, Ludovic Largeau, E Dogmus, Malek Zegaoui, F Medjdoub

Using NH3-MBE, AlN-based HEMTs on silicon are demonstrated for the first time. Ultra-thin heterostructures typically consist of 200 nm-thick AlN buffer, followed by 20 nm-thick strained GaN channel, 3-10 nm-thick AlN barrier. 2DEG densities (Ns) are measured as a function of AlN barrier thicknesses...

Compound Semiconductor Week 2017, May 2017, Berlin, Germany. ⟨hal-03298872⟩

• Communication dans un congrès

Degradation of InGaN-based solar cells under monochromatic photoexcitation

Carlo de Santi, Matteo Meneghini, Ezgi Dogmus, Malek Zegaoui, F Medjdoub, Alessandro Caria, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni

Compound Semiconductor Week 2017, May 2017, Berlin, Germany. ⟨hal-03298873⟩