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  • Article dans une revue

ScAlN/GaN-on-Si (111) HEMTs for RF applications

Seif El Whibi, Nagesh Bhat, Yassine Fouzi, Nicolas Defrance, Jean-Claude de Jaeger, Zahia Bougrioua, Florian Bartoli, Maxime Hugues, Yvon Cordier, Marie Lesecq

ScAlN is a promising barrier material for next generation RF high electron mobility transistors, outperforming AlGaN thanks a higher 2-dimensional electron gas (2DEG) density and a thinner barrier with a lower lattice mismatch with GaN. A sub-10 nm barrier ScAlN/GaN heterostructure, grown by...

Applied Physics Express, 2025, 18 (4), pp.046501. ⟨10.35848/1882-0786/adc5db⟩. ⟨hal-05008937⟩

  • Communication dans un congrès

Ondes élastiques topologiquement guidées pour l'haptique de surface

Massaï Hatoumva, Charles Croënne, Bertrand Dubus, Arthur Paté, M. Miniaci, Florian Allein, Frédéric Giraud

<div><p>Les cristaux phononiques topologiques marquent une avancée majeure pour le guidage et le contrôle des ondes élastiques en permettant la synthèse des modes localisés spécifiques (états de bords). Si les propriétés de ces modes font actuellement l'objet de nombreuses études,...

17e Congrès Français d'Acoustique, Société Française d'Acoustique, Apr 2025, Paris, France. ⟨hal-05362771⟩

  • Communication dans un congrès

Effect of High Temperature RF Stress on the Trapping Behavior of Carbon Doped AlN/GaN/AlGaN HEMTs

Lyes Ben-Hammou, François Grandpierron, Elodie Carneiro, Katir Harrouche, Etienne Okada, Gilles Patriarche, Farid Medjdoub

This study investigates the impact of short-term hightemperature operating life (HTOL) reliability testing on the trapping behavior and power performance of carbon-doped AlN/GaN/AlGaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs). HTOL stress can lead to significant degradation in key performance...

2025 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2025), Mar 2025, Monterey, CA, United States. ⟨10.1109/irps48204.2025.10983377⟩. ⟨hal-05344709⟩