Publicaciones

• Article dans une revue

Thermal management of electronic devices by composite materials integrated in silicon

Emmanuel Ollier, U. Soupremanien, V. Remondiere, J. Dijon, H. Le Poche, A.L. Seiler, F. Lefevre, S. Lips, Christophe Kinkelin, Nathalie Rolland, Paul-Alain Rolland, Malek Zegaoui, S. Lhostis, P. Ancey, B. Descouts, Y. Kaplan

As the power of electronic systems is increasing, thermal fluxes are getting higher, up to more than 100 W/cm2 in the more critical cases. They result in hot spots with various consequences, especially performance reduction and reliability issues. Most of the prior research has been focused on...

Microelectronic Engineering, 2014, 127, pp.28-33. ⟨10.1016/j.mee.2014.03.016⟩. ⟨hal-01005617⟩

• Article dans une revue

Effect of passivation on microwave power performances of AlGaN/GaN/Si HEMTs

H. Mosbahi, M. Charfeddine, M. Gassoumi, H. Mejri, Christophe Gaquière, Bertrand Grimbert, M.A. Zaidi, H. Maaref

This paper reports on the use of plasma assisted molecular beam epitaxy of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) grown on silicon substrate. Surface passivation effects on AlGaN/GaN HEMTs were studied using SiO2/SiN dielectric layers grown by plasma enhanced chemical vapor deposition...

Sensors & Transducers., 2014, 27, pp.277-279. ⟨hal-01005128⟩

• Communication dans un congrès

Conception d'un filtre accordable à partir de films minces ferroélectriques

Areski Ghalem, Freddy Ponchel, Denis Remiens, Tuami Lasri

Au sein de cet article, un filtre agile en fréquence utilisant des capacités ferroélectriques a été réalisé. Les capacités interdigitées (IDC) sont réalisées à partir de films minces ferroélectrique de titanate de baryum et de strontium (BST). Après la caractérisation hyperfréquence des capacités,...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020470⟩

• Communication dans un congrès

Combinaison d'une polarisation élevée et d'une forte tenue en tension pour les transistors AlN/GaN sur Si

Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, F Medjdoub

Nous avons réalisé un transistor à double hétérostructure AlN/GaN/AlGaN sur substrat Silicium (111) combinant une tension de claquage élevée et une faible résistance à l'état passant avec une épaisseur totale de buffer de l'ordre de 2μm. Une technique de gravure locale du substrat a été...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018416⟩

• Article dans une revue

Mechanical damage assessment of polymer-matrix composites using active infrared thermography

Walid Harizi, S. Chaki, Gérard Bourse, Mohamed Ourak

The present work uses an active form of the infrared (IR) thermography technique for monitoring and characterization of the damage of glass fibers reinforced Polymer-Matrix Composites (PMCs) following an experimental protocol based on a monotonic tensile test with constant stress steps. The active...

Composites Part B: Engineering, 2014, 66, pp.204-209. ⟨10.1016/j.compositesb.2014.05.017⟩. ⟨hal-01009971⟩

• Communication dans un congrès

InxGa1-xN/GaN MQWs heterostructures for solar cells applications

Ezgi Dogmus, Ludovic Largeau, Nathalie Rolland, F Medjdoub

The high quality and high indium content InxGa1-xN/GaN (x~ 0.10 and x~0.30) multiple quantum wells (MQWs) grown on sapphire (0001) by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) were investigated by High Angle Annular Dark Field Scanning Transmission Electron Microscopy (HAADF-STEM), Energy...

38th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits in Europe, WOCSDICE 2014, 2014, Delphi, Greece. 2 p. ⟨hal-01006446⟩

• Communication dans un congrès

Near-field microscopy : from MIR to THz

Gabriel Moreno, Antoine Pagies, Damien Ducatteau, Nicolas Clément, Tahsin Akalin, Mathias Vanwolleghem, Jean-Francois Lampin

joint 25th Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, and 14èmes Journées de la Matière Condensée, CMD25-JMC14, 2014, Paris, France. 2 p. ⟨hal-01015277⟩

• Communication dans un congrès

A 1D optomechanical crystal with a complete phononic band gap

Jordi Gomis-Bresco, Daniel Navarro Urrios, Mourad Oudich, Said El-Jallal, Amadeu Griol, Daniel Puerto, Emigdio Chávez-Ángel, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani, Francesc Alzina, Alejandro Martinez, Clivia Sotomayor-Torres

Joint 25th Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, and 14èmes Journées de la Matière Condensée, CMD25-JMC14, 2014, Paris, France. ⟨hal-01015239⟩

• Article dans une revue

Mercury telluride colloidal quantum dots : electronic structure, size-dependent spectra, and photocurrent detection up to 12 µm

Sean E. Keuleyan, Philippe Guyot-Sionnest, Christophe Delerue, Guy Allan

HgTe colloidal quantum dots are synthesized with high monodispersivity with sizes up to ∼15 nm corresponding to a room temperature absorption edge at ∼5 μm. The shape is tetrahedral for larger sizes and up to five peaks are seen in the absorption spectra with a clear size dependence. The size range...

ACS Nano, 2014, 8, pp.8676-8682. ⟨10.1021/nn503805h⟩. ⟨hal-01063878⟩

• Communication dans un congrès

Fabrication et caractérisation DC de composant HEMTs In(Ga)AlN/GaN sur silicium

Léon-Thierry Okala, Marie Lesecq, Philippe Altuntas, Jean-Claude de Jaeger

Cet article présente un procédé de fabrication de transistors HEMTs InAlN/GaN et AlGaN/GaN, en lithographie optique, sur substrat Si(111). Les mesures de Hall et TLM ont permis d'évaluer la résistance de contact, la résistance carrée, la mobilité et la densité de porteurs. La caractérisation...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020314⟩