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  • Communication dans un congrès

[Invited] Scanning tunnelling microscopy and angle-resolved photoelectron spectroscopy studies of graphene on SiC (C-face) substrate grown by Si flux-assisted molecular beam epitaxy

I. Razado-Colambo, J.P. Nys, X. Wallart, E. Moreau, S. Godey, J. Avila, M.C. Asensio, D. Vignaud

PDI Topical Workshop on MBE-Grown Graphene, 2013, Berlin, Germany. ⟨hal-00878498⟩

  • Article dans une revue

Mixed metallic Ba(Co,Mn)X0.2-xO3-δ (X=F, Cl) hexagonal perovskites

M. Iorgulescu, P. Roussel, N. Tancret, N. Renaut, Nicolas Tiercelin, O. Mentre

Journal of Solid State Chemistry, 2013, 198, pp.210-217. ⟨10.1016/j.jssc.2012.09.040⟩. ⟨hal-00796408⟩

  • Article dans une revue

AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate with 206-GHz FMAX

S. Bouzid-Driad, H. Maher, N. Defrance, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, M. Renvoise, P. Frijlink

IEEE Electron Device Letters, 2013, 34, pp.36-38. ⟨10.1109/LED.2012.2224313⟩. ⟨hal-00796433⟩

  • Article dans une revue

Vertical nanowire array-based field effect transistors for ultimate scaling

G. Larrieu, X.L. Han

Nanoscale, 2013, 5, pp.2437-2441. ⟨10.1039/C3NR33738C⟩. ⟨hal-00797210⟩

  • Article dans une revue

Fabrication, characterization, and physical analysis of AlGaN/GaN HEMTs on flexible substrates

N. Defrance, F. Lecourt, Y. Douvry, Marie Lesecq, Virginie Hoel, A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, Y. Cordier, A. Ebongue, Jean-Claude de Jaeger

IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60, pp.1054-1059. ⟨10.1109/TED.2013.2238943⟩. ⟨hal-00797212⟩

  • Communication dans un congrès

Caractérisation et modélisation en petit signal de transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe:C jusqu'à 220 GHz

Marina Deng

16èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2013, 2013, Grenoble, France. 4 p. ⟨hal-00957773⟩

  • Communication dans un congrès

Ajout d'un recuit dédié à la réduction de la résistance extrinsèque de base dans les TBH SiGe:C DPSA-SEG

Elodie Canderle

16èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2013, 2013, Grenoble, France. 4 p. ⟨hal-00957780⟩