Publicaciones

• Communication dans un congrès

Indoor positioning system based on the UWB technique

F. Elbahhar, B. Fall, M. Heddebaut, Atika Rivenq, Jean-Michel Rouvaen

2nd International Conference on Indoor Positioning and Indoor Navigation, IPIN 2011, 2011, Guimarães, Portugal. pp.1-4. ⟨hal-00800170⟩

• Autre publication scientifique

Mise en oeuvre d'un système de communication OFDM-haut débit dédié aux trains à grandes vitesses

Boudali Ouarzazi

2011. ⟨hal-00799452⟩

• Autre publication scientifique

Etude, conception et réalisation de transitions verticales coaxiales pour une intégration hétérogène 3D de microsystèmes en gamme millimétrique

Romain Crunelle

2011. ⟨hal-00799390⟩

• Autre publication scientifique

Etude et optimisation de dispositifs à base de matériaux faible gap pour applications hautes fréquences et ultra faible consommation

Albert M.D. Noudeviwa

2011. ⟨hal-00799384⟩

• Autre publication scientifique

Fabrication de nanostructures en silicium pour le développement de surfaces superomniphobes et pour la désorption/ionisation assistée par laser de biomolécules en vue de leur analyse par spectrométrie de masse

Thi Phuong Nhung Nguyen

2011. ⟨hal-00799472⟩

• Communication dans un congrès

Phase-controlling properties in phononic crystals

N. Swinteck, S. Bringuier, J.F. Robillard, Jerome O. Vasseur, Anne-Christine Hladky, P.A. Deymier

1st International Conference on Phononic Crystals, Metamaterials and Optomechanics, PHONONICS 2011, 2011, Santa Fe, NM, United States. Paper Phononics-2011-0069, 164-165. ⟨hal-00799670⟩

• Article dans une revue

Variations in the work function of doped single- and few-layer graphene assessed by Kelvin probe force microscopy and density functional theory

D. Ziegler, P. Gava, J. Güttinger, F. Molitor, L. Wirtz, M. Lazzeri, A.M. Saitta, A. Stemmer, Francesco Mauri, C. Stampfer

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2011, 83, pp.235434-1-7. ⟨10.1103/PhysRevB.83.235434⟩. ⟨hal-00639882⟩

• Article dans une revue

[Invited paper] InSb nanowire field-effect transistors and quantum-dot devices

H.A. Nilsson, M.T. Deng, P. Caroff, C. Thelander, L. Samuelson, L.E. Wernersson, H.Q. Xu

The authors present fabrication and electrical measurements of InSb nanowire field-effect transistors (FETs) and quantum dots. The devices are made on a SiO 2 -capped Si substrate from InSb segments of InAs/InSb heterostructured nanowires, which are grown by metalorganic vapor phase epitaxy. For...

IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2011, 17 (4), pp.907-914. ⟨10.1109/JSTQE.2010.2090135⟩. ⟨hal-00639823⟩

• Article dans une revue

Low-noise microwave performance of AlN/GaN HEMTs grown on silicon substrate

F Medjdoub, Nicolas Waldhoff, Malek Zegaoui, B. Grimbert, N. Rolland, Paul-Alain Rolland

Microwave noise performance of state-of-the-art AlN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) grown on 100-mm Si substrate has been investigated. DC and RF measurements show the outstanding potential of this structure for high-power millimeter-wave (mmW) applications. A maximum output current...

IEEE Electron Device Letters, 2011, 32 (9), pp.1230-1232. ⟨10.1109/LED.2011.2161261⟩. ⟨hal-00639806⟩

• Article dans une revue

Conception of patch antenna at wide band

M. Iftissane, S. Bri, L. Zenkouar, A. Mamouni

International Journal of Emerging Sciences, 2011, 1, pp.400-417. ⟨hal-00639914⟩