Publications

• Communication dans un congrès

Transition from ballistic to ohmic transport in T-branch junctions at room temperature in GaInAs/AlInAs heterostructures

Jean-Sebastien Galloo, Emmanuelle Pichonat, Yannick Roelens, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy, Javier Mateos, Tomás González, Hervé Boutry, Vincent Bayot, Lukasz Bednarz, Isabelle Huynen

We have developed technolow based on GaInAs/AIInAs for building ballistic devices working at room temperature. We present processes for ballistic devices (T-Branch Junctions (TBJs), YBranch Junctions (YBJs)). Then we present DC Characterization of TBJs to show the transition from ballistic to ohmic…

16th IPRM. 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, May 2004, Kagoshima, Japan. pp.378-381, ⟨10.1109/ICIPRM.2004.1442734⟩. ⟨hal-00133896⟩

• Communication dans un congrès

Etude de l'interaction électron-électron dans les structures lasers à cascade quantique par la méthode de Monte Carlo

Olivier Bonno, Jean-Luc Thobel, François Dessenne

Journées Nationales Nanoélectronique, 2004, Aussois, France. ⟨hal-00133958⟩

• Article dans une revue

Noise modeling in fully depleted SOI MOSFETs

G. Pailloncy, B. Iniguez, Gilles Dambrine, J.P. Raskin, Francois Danneville

Solid-State Electronics, 2004, 48, pp.813-825. ⟨hal-00133880⟩

• Communication dans un congrès

Bruit haute fréquence dans les transistors MOS sur SOI : méthodes de caractérisations et de modélisations

G. Pailloncy

WORKSHOP Laboratoire Commun IEMN/ST Microelectronics, 2004, Crolles, France. ⟨hal-00133898⟩

• Communication dans un congrès

Composants balistiques

S. Bollaert

Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, 2004, La Grande Motte, France. ⟨hal-00133910⟩

• Autre publication scientifique

Etude des aspects électrothermiques de la filière HEMT AlGaN/GaN pour application de puissance hyperfréquence

Raphaël Aubry

2004. ⟨hal-00133927⟩

• Communication dans un congrès

Formation of nano-domains in alkyltrichlorosilane self-assembled monolayers deposited on silicon : applications to molecular electronics

S. Desbief, L. Patrone, D. Goguenheim, D. Vuillaume

Ultimate Lithography and Nanodevice Engineering, 2004, Agelonde, France. ⟨hal-00140740⟩

• Article dans une revue

Nonlinear ultrasonic phase-conjugate beams and their application in ultrasonic imaging

Andrey Brysev, Leonid Krutyansky, Philippe Pernod, Vladimir L. Preobrazhensky

The latest results of experimental and theoretical research into phase conjugation of nonlinear ultrasonic beams are generalized, and prospects for the development of nonlinear ultrasonic imaging are outlined.

Acoustical Physics, 2004, 50, pp.623-640. ⟨10.1134/1.1825091⟩. ⟨hal-00162757⟩

• Article dans une revue

Analysis of low frequency drain current noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate

N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, A. Touboul, Christophe Gaquière, A. Minko

Fluctuation and Noise Letters, 2004, 4, pp.L319-L328. ⟨hal-00162793⟩

• Communication dans un congrès

Noise modeling and performance in 0.15 µm fully depleted SOI MOSFET

G. Pailloncy, B. Iniguez, Gilles Dambrine, M. Dehan, J.P. Raskin, H. Matsuhashi, P. Delatte, Francois Danneville

2004, pp.122-130. ⟨hal-00133895⟩