Publications

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  • Article dans une revue

Experimental study of hot electron inelastic scattering rate in p-type InGaAs

D. Sicault, R. Teissier, F. Pardo, J.-L. Pelouard, F. Mollot

The inelastic scattering rates of electrically injected minority hot electrons measured using a continuous-wave spatially resolved electroluminescence spectroscopy are reported. To our knowledge, this constitutes direct experimental determination of this parameter related to the individual…

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2002, 65 (12), pp.121301.1-121301.4. ⟨10.1103/PhysRevB.65.121301⟩. ⟨hal-00324283⟩

  • Article dans une revue

Theory of acoustic scattering by supported ridges at a solid-liquid interface

Jerome O. Vasseur, A. Khelif, J. Vasseur, Ph. Lambin, Bahram Djafari-Rouhani, P. Deymier

Physical Review E , 2002, 65 (3), ⟨10.1103/PhysRevE.65.036601⟩. ⟨hal-03302025⟩

  • Chapitre d'ouvrage

Micro-actionneurs en alliages à mémoire de forme

N. Chaillet, L. Buchaillot, J. Abadie, I. Roch, C. Lexcellent

CUGAT O. Micro-actionneurs électroactifs, Hermès Sciences, pp.179-223, 2002. ⟨hal-00132049⟩

  • Article dans une revue

Magnonic spectral gaps and discrete transmission in serial loop structures

A Mir, H Al Wahsh, Abdellatif Akjouj, Bahram Djafari-Rouhani, L. Dobrzynski, Jerome O. Vasseur

Journal of Physics: Condensed Matter, 2002, 14 (3), pp.637-655. ⟨10.1088/0953-8984/14/3/331⟩. ⟨hal-03302129⟩

  • Communication dans un congrès

Modélisation d'un composant à hétérostructure à transport acoustique de charges

F.E. Ratolojanahary, Tadeusz Gryba, Victor Y. Zhang, Véronique Sadaune, Jean-Etienne Lefebvre

6ème Congrès Français d'Acoustique, CFA 2002, 2002, Lille, France. pp.805-808. ⟨hal-00250198⟩

  • Chapitre d'ouvrage

Numerical modeling of sonic and ultrasonic devices

Bertrand Dubus

RANZ-GUERRA C., GALLEGO-JUAREZ J.A. New acoustics - Selected topics, Ed. Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), Madrid, Spain, pp.37-74, 2002. ⟨hal-00132554⟩

  • Communication dans un congrès

0.12µm gate length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on transferred substrate

S. Bollaert, X. Wallart, Sylvie Lepilliet, A. Cappy, E. Jalaguier, S. Pocas, B. Aspar, J. Mateos

2002, pp.101-105. ⟨hal-00152950⟩