Publications

• Communication dans un congrès

AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz

M. Zaknoune, X. Wallart, F Medjdoub, M. Ardouin, B. Bonte, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger

Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2002, 2002, Austin, TX, United States. ⟨hal-00149711⟩

• Communication dans un congrès

Grazing incidence diffraction anomalous fine structure of self-assembled semiconductor nanostructures

S. Grenier, A. Letoublon, M.G. Proietti, Hubert Renevier, L. Gonzalez, J.M. Garcia, C. Priester, J. Garcia

2002, pp.24-33. ⟨hal-00149685⟩

• Communication dans un congrès

Mise en évidence des effets de pièges sur le comportement électrique de composants HEMTs dans la filière nitrure de gallium

M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, A. Minko, Virginie Hoel, D. Ducatteau, E. Delos, M.A. Poisson, F. Semond, Jean-Claude de Jaeger

3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Elements III, 2002, La Plagne, France. ⟨hal-00149733⟩

• Communication dans un congrès

Les transistors à effet de champ pour l'amplification de puissance microonde : état de l'art et perspectives

Jean-Claude de Jaeger

5èmes Journées Microondes et Electromagnétisme, JMET 2002, 2002, Toulouse, France. ⟨hal-00149737⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation diélectrique en réflexion transmission de cristaux liquides en structure ligne plaquée

Abdellatif Akjouj, Bahram Djafari-Rouhani, Jerome O. Vasseur, Jean-François Legier, Erick Paleczny, Mohamed Bouazaoui, Jean-Pierre Vilcot, Arnaud Beaurain, Stefan Mc Murtry, L. Dobrzynski

Actes des 7èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2002, 2002, Toulouse, France. ⟨hal-00149649⟩

• Article dans une revue

Thermally assisted formation of silicon islands on a silicon-on-insulator substrate

Bernard Legrand, Vincent Agache, Jean-Philippe Nys, Thierry Melin, Vincent Senez, Didier Stiévenard

We report the self-formation of nanometer-size silicon islands on a silicon-on-insulator (SOI) substrate that is associated with simple thermal treatment in the range of 500–900 °C. We study the island formation process versus the temperature of the thermal annealing, the thickness of the top…

Journal of Applied Physics, 2002, 91, pp.106-111. ⟨10.1063/1.1420761⟩. ⟨hal-00149668⟩

• Communication dans un congrès

Modélisation numérique et caractérisation expérimentale du champ de cavitation ultrasonore

P. Mosbah, Bertrand Dubus, O. Ledez, C. Campos-Pozuelo, C. Granger

2002, pp.747-750. ⟨hal-00147777⟩

• Communication dans un congrès

Diffusion d'un élement V à partir d'une surface d'un semiconducteur III-V, influence de la reconstruction et de la morphologie

C. Priester

Journées Surfaces et Interfaces, JSI 2002, 2002, Toulouse, France. ⟨hal-00149684⟩

• Communication dans un congrès

Piezoelectric properties of sputtered PZT films: influence of structure, microstructure, film thickness, (Zr,Ti) ratio and Nb substitution

Denis Remiens, Eric Cattan, Caroline Soyer, T. Haccart

European Materials Research Society Spring Meeting, Symposium P, Advanced Materials for Microelectronics : Ferroelectrics and Low-k Dielectrics, 2002, France. pp.123-127. ⟨hal-00250393⟩

• Communication dans un congrès

Interactions entre les ultrasons et les matrices fromagères

Georges Nassar, Bertrand Nongaillard, C. Achilleos, L. Tessier, Y. Noel

7ème Colloque PROSETIA, Procédés de Séparation et de Transformation dans les Industries Agroalimentaires, 2002, Compiègne, France. ⟨hal-00149925⟩