Publications

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  • Communication dans un congrès

Mesures de temps de vie des électrons dans In0.53Ga0.47As dopé Be en fonction de la température de croissance et du dopage

D. Vignaud, Jean-Francois Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot

9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint-Aygulf, France. ⟨hal-00148671⟩

  • Article dans une revue

fmax of 490 GHz metamorphic In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on GaAs substrate

S. Bollaert, Y. Cordier, M. Zaknoune, T. Parenty, H. Happy, Sylvie Lepilliet, A. Cappy

Electronics Letters, 2002, 38, pp.389-391. ⟨hal-00147831⟩

  • Article dans une revue

Reliability of polysilicon microstructures : in situ test benches

O. Millet, D. Collard, L. Buchaillot

Microelectronics Reliability, 2002, 42, pp.1795-1800. ⟨hal-00148766⟩

  • Article dans une revue

Microsystem for telecommunication

D. Collard, L. Buchaillot

Seisan Kenkyu, 2002, 54, pp.135-139. ⟨hal-00148767⟩

  • Communication dans un congrès

Non-linear magneto-acoustic phenomena near spin reorientation instability

Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod

2002, pp.45-46. ⟨hal-00148691⟩

  • Communication dans un congrès

A thiophene-phenylene copolymer and conjugated chiral polymers as emission mayer in light emitting diodes

K. Lmimouni, C. Dufour, D. Vuillaume, J.P. Lere-Porte, J. Moreau, F. Serein-Spirau, R.A. Silva

European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2002, 2002, Strasbourg, France. ⟨hal-00148707⟩

  • Communication dans un congrès

Electronic characteristics of silicon-organic interfaces

S. Kar, D. Vuillaume

Materials Research Society Fall Meeting, 2002, Boston, MA, United States. ⟨hal-00148710⟩