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Article dans une revue

Enhanced high data rate communication system using embedded cooperative radar for intelligent transports systems

Yassin El Hillali, C. Tatkeu, P. Deloof, Laila Sakkila, Atika Rivenq, Jean-Michel Rouvaen

Transportation Research Part C: Emerging Technologies, 2010, 18, pp.429-439. ⟨10.1016/j.trc.2009.05.013⟩. ⟨hal-00549912⟩

Article dans une revue

LP MOCVD growth of InAlN/GaN HEMT heterostructure : comparison of sapphire, bulk SiC and composite SiCopSiC substrates for HEMT device applications

M.A. Di Forte-Poisson, N. Sarazin, M. Magis, M. Tordjman, J. Di Persio, R. Langer, E. Iliopoulos, A. Georgakilas, P. Kominou, M. Guziewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska, Christophe Gaquière, M. Oualli, E. Chartier, E. Morvan, S. Delage

Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics, 2010, 7, pp.1317-1324. ⟨10.1002/pssc.200983114⟩. ⟨hal-00549909⟩

Brevet

Procédé de fabrication de transistors MOSFET complémentaires de type P et N, et dispositif électronique comprenant de tels transistors, et processeur comprenant au moins un tel dispositif

Guilhem Larrieu, Emmanuel Dubois

Communication dans un congrès

Slow-wave shielded coplanar striplines for UWB filtering applications

M. Abdelaziz, Florence Podevin, A. Safwat, Anne-Laure Franc, Emmanuel Pistono, N. Corrao, A. Vilcot, P. Ferrari

Slow-wave shielded coplanar striplines for UWB filtering applications, Dec 2009, New Delhi, India. ⟨hal-00602887⟩

Thèse

Study of electronic properties of nanostructures by ultrahigh vacuum atomic force microscopy, Étude de propriétés électroniques de nanostructures par microscopie à force atomique sous ultra-vide

Lukasz Borowik

We study the electronic properties of nanostructures using atomic force microscopy in ultra-high vacuum environment. The first part of this work consists in the characterization of silicon nanowires grown by metal-catalyzed chemical vapour deposition on silicon substrates, using conducting atomic…, Cette thèse est consacrée à l'étude des propriétés électroniques de nanostructures par microscopie à force atomique (AFM) en ultra-vide. La première partie de ce travail a consisté à caractériser localement des nanofils de silicium par technique d'AFM conducteur. Les expériences de…

Physics [physics]. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2009. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00466670⟩

Article dans une revue

Optically active defects in an InAsP/InP quantum well monolithically grown on SrTiO3(001)

Jinquan Cheng, Thomas Aviles, Ahiram El Akra, C. Bru-Chevallier, Ludovic Largeau, Gilles Patriarche, Philippe Regreny, A. Benamrouche, Y. Robach, Guy Hollinger, Guillaume Saint-Girons

The optical properties of an InAsP/InP quantum well grown on a SrTiO3(001) substrate are analyzed. At 13 K, the photoluminescence yield of the well is comparable to that of a reference well grown on an InP substrate. Increasing the temperature leads to the activation of nonradiative mechanisms for…

Applied Physics Letters, 2009, 95 (23), ⟨10.1063/1.3273850⟩. ⟨hal-01901801⟩