Publications

• Communication dans un congrès

The michrocam concept of CCD Cranz-Schardin high-speed camera

A. Merlen, C. Begue, L. Derbesse, Philippe Pernod, C. Ahyi

2001, pp.145-152. ⟨hal-00152111⟩

• Article dans une revue

SrBi2Nb2O9 ferroelectric thin films deposited by pulsed laser deposition on textured and epitaxied platinum electrodes

Jean-René Duclere, Maryline Guilloux-Viry, A. Perrin, A. Dauscher, Sébastien J. Weber, B. Lenoir, Caroline Soyer, Eric Cattan, Denis Remiens

Journal de Physique IV Proceedings, 2001, 11, pp.133-137. ⟨hal-00152481⟩

• Communication dans un congrès

Comparison of fully distributed and periodically loaded nonlinear transmission lines

J.M. Duchamp, Philippe Ferrari, M. Fernandez, X. Melique, J.W. Tao, S. Arscott, D. Lippens, A. Jrad, R.G. Harrison

2001 31st European Microwave Conference, IEEE, Sep 2001, London, United Kingdom. pp.205-208. ⟨hal-00152074⟩

• Communication dans un congrès

Détermination de caractéristiques I(V) en régime dynamique grand signal de transistors HEMTs AlGaN/GaN

N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, B. Boudart, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger

Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France. ⟨hal-00152654⟩

• Thèse

Contribution à l’optimisation du contrôle santé intégré par ondes de Lamb : application à la surveillance de structures aéronautiques, Optimization of Lamb wave based health monitoring systems for aeronautical structure inspection

Sébastien Grondel

Ce travail est consacré à l'étude et à la mise au point d'un système de surveillance embarqué destiné au contrôle santé de structures aéronautiques. Le système choisi pour réaliser ce « contrôle santé intégré » repose, d'une part, sur l'excitation et la réception d'ondes de…, This work is devoted to the study and the development of an health monitoring system assigned to aircraft applications. The chosen health monitoring system is based first on the excitation and reception of Lamb waves along the structure and secondly on a continuous monitoring with the same…

Electronique. Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis, 2000. Français. ⟨NNT : 2000VALE0030⟩. ⟨hal-00159072⟩

• Article dans une revue

Theoretical simulation of free carrier mobility collapse in GaN in terms of dislocation walls

J-L Farvacque, Z. Bougrioua, I Moerman

Journal of Physics: Condensed Matter, 2000, 12 (49), pp.10213-10221. ⟨10.1088/0953-8984/12/49/321⟩. ⟨hal-02906495⟩

• Article dans une revue

Quantifying the smoothing of GaN epilayer growth by in situ laser interferometry

A Stafford, S.J.C Irvine, Z. Bougrioua, K. Jacobs, I Moerman, E.J Thrush, L Considine

Journal of Crystal Growth, 2000, 221 (1-4), pp.142-148. ⟨10.1016/S0022-0248(00)00674-6⟩. ⟨hal-02906485⟩

• Article dans une revue

Streaming and removal forces due to second-order sound field during megasonic cleaning of silicon wafers

Jerome O. Vasseur, P. Deymier, J. Vasseur, A. Khelif, Bahram Djafari-Rouhani, L. Dobrzynski, S. Raghavan

Journal of Applied Physics, 2000, 88 (11), pp.6821-6835. ⟨10.1063/1.1323521⟩. ⟨hal-03301993⟩

• Article dans une revue

Transferred-substrate InP-based heterostructure barrier varactor diodes on quartz

D. Lippens, O. Vanbésien, P. Mounaix, X. Melique, T. David, S. Arscott

IEEE Microwave and Guided Wave Letters, 2000, 10 (11), pp.472-474. ⟨10.1109/75.888836⟩. ⟨hal-02348025⟩

• Article dans une revue

Enhancement mode metamorphic In0.33Al0.67As/In0.34Ga0.66As HEMT on GaAs substrate with high breakdown voltage

Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, Yvon Cordier, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger

This paper presents original and experimental results provided by E-mode Al/sub 0.67/In/sub 0.33/As/Ga/sub 0.66/In/sub 0.34/As metamorphic HEMT. The devices exhibit good dc and rf performances. The 0.4 μm gate length devices have saturation current density of 355 mA/mm at +0.6 V gate-to-source…

IEEE Electron Device Letters, 2000, 21 (11), pp.512-514. ⟨10.1109/55.877193⟩. ⟨hal-00158983⟩