Publications

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  • Article dans une revue

Impact of lateral asymmetry of MOSFETs on the gate-drain noise correlation

A.S. Roy, C.C. Enz, T.C. Lim, Francois Danneville

IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55, pp.2268-2272. ⟨10.1109/TED.2008.925935⟩. ⟨hal-00356669⟩

  • Communication dans un congrès

Isolation mésa par gravures humide et sèche des HEMTs AlSb/InAs sur substrat InP

A. Olivier, T. Gehin, L. Desplanque, X. Wallart, J. Cheng, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, Gilles Dambrine, A. Cappy, S. Bollaert

11èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2008, 2008, Bordeaux, France. ⟨hal-00361522⟩

  • Communication dans un congrès

Negative bias stress effect in pentacene thin-film transistors

C. Petit, D. Zander, K. Lmimouni, M. Ternisien, S. Lenfant, D. Vuillaume

4th International Meeting on Molecular Electronics, ElecMol'08, 2008, Grenoble, France. ⟨hal-00361616⟩

  • Communication dans un congrès

Towards high performance E-mode InAlN/GaN HEMTs

F Medjdoub, M. Alomari, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn

32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008, 2008, Belgium. pp.97-98. ⟨hal-00361120⟩

  • Autre publication scientifique

Propagation confocale et diffusion Brillouin de faisceaux acoustiques conjugués en phase

M. Ivanov

2008. ⟨hal-00375437⟩

  • Article dans une revue

Numerical analysis of negative refraction of transverse waves in an elastic material

Anne-Christine Hladky, Jerome O. Vasseur, Bertrand Dubus, Bahram Djafari-Rouhani, D. Ekeom, B. Morvan

Journal of Applied Physics, 2008, 104, pp.064906-1-6. ⟨10.1063/1.2978379⟩. ⟨hal-00356649⟩

  • Article dans une revue

Study of the fundamental Lamb modes interaction with asymmetrical discontinuities

Farouk Benmeddour, Sébastien Grondel, Jamal Assaad, Emmanuel Moulin

NDT & E International, 2008, 41, pp.330-340. ⟨10.1016/j.ndteint.2008.01.004⟩. ⟨hal-00360328⟩

  • Article dans une revue

Characterization of deep levels in high electron mobility transistor by conductance deep level transient spectroscopy

M. Gassoumi, J.M. Bluet, G. Guillot, Christophe Gaquière, H. Maaref

Materials Science and Engineering: C, 2008, 28, pp.787-790. ⟨10.1016/j.msec.2007.10.068⟩. ⟨hal-00357801⟩

  • Article dans une revue

Subsurface Fe-doped semi-insulating GaN templates for inhibition of regrowth interface pollution in AlGaN/GaN HEMT structures

Y. Cordier, M. Azize, N. Baron, Z. Bougrioua, Sébastien Chenot, O. Tottereau, J. Massies, P. Gibart

Journal of Crystal Growth, 2008, 310, pp.948-954. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2007.11.161⟩. ⟨hal-00357273⟩