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Communication dans un congrès

Influence of an interfacial AlxIn1-xSb layer on the strain relaxation and surface morphology of thin GaSb layers epitaxially grown on GaAs(001)

Mathieu Danoy, Pierre-François Angry, Julien Gavrel, Charlène Brillard, L. Desplanque, Y. Wang, P. Ruterana, Xavier Wallart

This work focuses on the strain relaxation and surface morphology of 10 ML thick GaSb layers on GaAs. It is shown that full relaxation is never reached for this thickness. The use of an AlSb interfacial layer only slightly improves strain relaxation but greatly reduces surface roughness. Finally,…

26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2014, Compound Semiconductor Week, CSW 2014, 2014, Montpellier, France. ⟨hal-00992670⟩

Communication dans un congrès

Architectures supramoléculaires sur la surface de Si(111)-B

Younes Makoudi, Judicaël Jeannoutot, Matthieu Beyer, Bulent Baris, B. Grandidier, Frank Palmino, Frédéric Cherioux

La formation des réseaux supramoléculaires périodiques à grande échelle sur une surface est d'un intérêt primordial pour le développement de composants intelligents [1]. Cet objectif nécessite la synthèse des molécules organiques ayant des fonctions appropriées en vue d'obtenir des…

17ème Forum des Microscopies à Sonde Locale, Mar 2014, Mantauban, France. session 7, papier 25, 68-69. ⟨hal-00961550⟩

Communication dans un congrès

Theory of self-assembled nanoparticle networks as logic building blocks

Fabrizio Cleri, Sergio Carrillo, Christophe Krzeminski

Recently, self-assembled networks of functionalized nano particles (NPSAN) were proposed as a prototype of innovative devices [1], with switchable NP-NP links. Thanks to the chemical properties of the surface molecules, these would ultimately show memristive behaviour, as building blocks of a…

European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium S - Memristormaterials, mechanisms and devices for unconventional computing, 2014, Lille, France. ⟨hal-00966154⟩

Article dans une revue

Temperature dependence of the conduction mechanisms through a Pb(Zr,Ti)O3 thin film

C. Jegou, L. Michalas, T. Maroutian, G. Agnus, M. Koutsoureli, G. Papaioannou, L. Largeau, David Troadec, A. Leuliet, P. Aubert, P. Lecoeur

The conduction mechanisms through a lead zirconate titanate (PZT) thin film grown by pulsed laser deposition with a La0.67Sr0.33MnO3 (LSMO) buffer layer on epitaxial Pt (111) were assessed in the 230-330 K temperature range. X-Ray diffraction and transmission electron microscopy evidenced a…

Thin Solid Films, 2014, 563, pp.32-35. ⟨10.1016/j.tsf.2013.12.043⟩. ⟨hal-01009981⟩

Article dans une revue

Measurement techniques for RF nanoelectronic devices : new equipment to overcome the problems of impedance and scale mismatch

Henri Happy, Kamel Haddadi, Didier Theron, Tuami Lasri, Gilles Dambrine

Scaling of electronic device dimensions into the nanoscale regime has been at the basis of the semiconductor industry for several decades. Traditional materials have been pushed to their limits, which means that entirely new materials and new device structures are now required. The development of…

IEEE Microwave Magazine, 2014, 15 (1), pp.30-39. ⟨10.1109/MMM.2013.2288710⟩. ⟨hal-00936563⟩

Communication dans un congrès

Caractérisation quantitative des capacités sous échelle de 10 nm avec un interférométrique scanning-microwave-microscopy

Fei Wang, Nicolas Clément, Damien Ducatteau, David Troadec, Bernard Legrand, Gilles Dambrine, Didier Theron

Nous présentons une façon de caractériser quantitativement des capacités sous échelle de 10 nm à l'aide d'un scanning-microwave-microscope modifié avec un interféromètre (iSMM). Des milliers de capacités à l'échelle nanométrique (nanoplots) et un kit de capacités de calibrages sont…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018379⟩

Communication dans un congrès

Key parameters of CVD-grown graphene on copper foil and its transfer for radio-frequency applications

Wei Wei, Geetanjali Deokar, Mohamed Moez Belhaj, D. Mele, Emiliano Pallecchi, Emmanuelle Pichonat, Dominique Vignaud, Henri Happy

To synthesize monolayer graphene and realize defect free transfer for electronic devices application are still challenges. In this letter, we present the fabrication and characterization of graphene field effect transistor (GFET), with respect to key parameters of graphene growth on Cu by chemical…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, May 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018384⟩

Communication dans un congrès

Experimentation and modeling of node energy consumption in wireless sensor networks

Román Igual-Pérez, Alexandre Boé, Nathalie Rolland, Laurent Clavier

Wireless sensor networks could be widely used in a large variety of applications such as smart cities, structural health monitoring. However, their large scale deployment is limited by the lifetime of the nodes. A joint optimization of both hardware and software is a promising solution to decrease…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018401⟩

Communication dans un congrès

Méthodes expérimentales et théoriques dans la biomécanique de dégradation de l'ADN sous rayonnement pour le traitement optimisé des tumeurs

Gregoire Perret, Fabio Manca, Stefano Giordano, Pier Luca Palla, Thomas Lacornerie, Eric Lartigau, Momoko Kumemura, Hiroyuki Fujita, Fabrizio Cleri, Dominique Collard

Nous rapportons ici les premières mesures biomécaniques (et en temps réel) de dégradation d'ADN en solution, exposé à un faisceau de radiothérapie. Les instruments utilisés (le Silicon Nanotweezers et la cavité microfluidique entre autres) supportent l'environnement hostile de rayonnement…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 5 p. ⟨hal-01020300⟩

Communication dans un congrès

Nouvelle technologie de contact pour CMOS FD-SOI 10nm et en deçà le contact dipolaire

Julien Borrel, Louis Hutin, Magali Grégoire, Fabrice Nemouchi, Olivier Rozeau, Emmanuel Dubois

Il a récemment été démontré [1] que l'insertion d'une bicouche de diélectriques entre le métal et le semiconducteur d'un contact pouvait induire une réduction significative de la résistance spécifique. Cet ajout permet dans un premier temps de relâcher l'ancrage du niveau de…

17es Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020275⟩