Publications

• Article dans une revue

Above 600 mS/mm transconductance with 2.3 A/mm drain current density AlN/GaN high electron mobility transistors grown on silicon

F Medjdoub, Malek Zegaoui, Nicolas Waldhoff, B. Grimbert, N. Rolland, Paul-Alain Rolland

AlN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) capped with an in-situ grown SiN have been successfully developed on 100mm Si substrates. A unique combination of maximum output current density exceeding 2A/mm and a record extrinsic transconductance above 600 mS/mm has been reached, which is well…

Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters, 2011, 4 (6), pp.064106-1-3. ⟨10.1143/APEX.4.064106⟩. ⟨hal-00603010⟩

• Communication dans un congrès

Classification de poudres laitières selon leur pouvoir de solvatation estimé par méthode acoustique

Bruno Richard, Malika Toubal, Jean-François Le Page, Georges Nassar, Edouard Radziszewski, Bertrand Nongaillard, Pascal Debreyne, Romain Jeantet, Pierre Schuck, Guillaume Delaplace

L'objectif de ce travail est de valider l’aptitude d’un test non invasif ultrasonore à caractériser la réhydratation (cinétique, mécanisme) de poudres de protéines laitières. Le test consiste à générer une onde ultrasonore et à observer sa transmission à travers la suspension solide/liquide…

XIIIe Congrès de la Société Française du Génie des Procédés, SFGP 2011, Nov 2011, Lille, France. ⟨hal-00807669⟩

• Article dans une revue

Anisotropic excitonic effects in the energy loss function of hexagonal boron nitride

S. Galambosi, L. Wirtz, J.A. Soininen, J. Serrano, A. Marini, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. Huotari, A. Rubio, K. Hamalainen

The anisotropy of the valence energy-loss function of hexagonal boron nitride (hBN) is shown to be largely enhanced by the highly inhomogeneous character of the excitonic states. The energy loss with momentum transfer parallel to the BN layers is dominated by strongly bound, quasi-two-dimensional…

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2011, 83 (8), pp.081413. ⟨10.1103/PhysRevB.83.081413⟩. ⟨hal-00579067⟩

• Communication dans un congrès

Cristaux phononiques à résonances locales

Yan Pennec, H. Larabi, Bahram Djafari-Rouhani, Abdellatif Akjouj, Gaëtan Lévêque

Colloque National Métamatériaux, CNM 2011, 2011, Orsay, France. ⟨hal-00807582⟩

• Communication dans un congrès

Band-gap operating in the gigahertz frequencies for a bi-layer phononic crystal slab

Abdelkrim Talbi, A. Soltani, Y. El Hassouani, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani, Abdellatif Akjouj

1st International Conference on Phononic Crystals, Metamaterials and Optomechanics, PHONONICS 2011, 2011, Santa Fe, NM, United States. ⟨hal-00807176⟩

• Article dans une revue

Band gap engineering in simultaneous phononic and photonic crystal slabs

Bahram Djafari-Rouhani, Yan Pennec, El Houssaine El Boudouti, Jerome O. Vasseur, Youssef El Hassouani, C. Li, Abdellatif Akjouj, Driss Bria

We discuss the simultaneous existence of phononic and photonic band gaps in two types of phononic crystals slabs, namely periodic arrays of nanoholes in a Si membrane and of Si nanodots on a SiO2 membrane. In the former geometry, we investigate in detail both the boron nitride lattice and the…

Applied physics. A, Materials science & processing, 2011, 103, pp.735-739. ⟨10.1007/s00339-010-6207-x⟩. ⟨hal-00603012⟩

• Chapitre d'ouvrage

Ingénierie des matériaux et des structures, mécanique des solides, acoustique

Djimédo Kondo, Piotr Breitkopf, Robert Charlier, Paul Cristini, Valerie Deplano, Bertrand Dubus, Joseph Gril, Thierry Le Mogne, Frédéric Lebon, Nathalie Maurel, Nicolas Moes, Laurent Orgéas, Vincent Pagneux, Etienne Patoor, Sylvie Pommier, Claire Prada, Edgar Rauch, Jean-Jacques Sinou, Frédéric Valès, Claude Verdier

Les disciplines représentées dans la section 09 sont à la fois des disciplines de savoir, et des disciplines de l’ingénierie. On les retrouve aussi bien dans les activités de génération de connaissances de base, que dans la démarche de mise en œuvre de ces connaissances dans des réalisations…

Rapport de conjoncture 2010 du Comité national de la recherche scientifique, CNRS Editions, pp.169-186, 2011, ISBN 978-2-271-07263-4. ⟨hal-00799637⟩

• Article dans une revue

Mechanical characterization of aluminium nanofilms

Gregory Guisbiers, Etienne Herth, L. Buchaillot

The mechanical properties (Young’s modulus, hardness, wear resistance) of aluminium nanofilms on silicon substrate are studied. Size effect on these mechanical properties are exhibited. Young’s modulus, hardness and wear resistance increases when the thickness is reduced. Experimental…

Microelectronic Engineering, 2011, 88 (5), pp.844-847. ⟨10.1016/j.mee.2010.06.028⟩. ⟨hal-00579052⟩

• Article dans une revue

Temperature and frequency characterization of InAs nanowire and HfO2 interface using capacitance-voltage method

G. Astromskas, K. Storm, P. Caroff, M. Borgström, E. Lind, L.E. Wernersson

Microelectronic Engineering, 2011, 88, pp.444-447. ⟨10.1016/j.mee.2010.08.010⟩. ⟨hal-00592100⟩

• Article dans une revue

Design, realization and test of a 2.1 GHz ultra-low phase noise oscillator based on BAW resonator

M.D. Li, S. Seok, N. Rolland, P.A. Rolland

AEÜ - International Journal of Electronics and Communications = Archiv für Elektronik und Übertragungstechnik, 2011, 65, pp.602-607. ⟨10.1016/j.aeue.2010.09.004⟩. ⟨hal-00591316⟩