Publications

• Communication dans un congrès

Développement d'un banc de caractérisation non linéaire dans le domaine fréquentiel pour la caractérisation et la modélisation de transistors de puissance

R. Ouhachi, A. Pottrain, T. Lacave, D. Ducatteau, P. Chevalier, D. Gloria, Christophe Gaquière

17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. papier 118, 2F6, 1-4. ⟨hal-00603134⟩

• Communication dans un congrès

Influence du retournement temporel sur la localisation au sein d'un réseau ad hoc

Michael Bocquet, Christophe Loyez, M. Friziel, N. Rolland

17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. papier 51, 6F3, 1-4. ⟨hal-00603135⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation et analyse des effets de pièges électriques sur la fiabilité de HEMTS AlGaN/GaN

F. Berthet, Y. Guhel, H. Galous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, V. Sbrugnera, B. Grimbert, Christophe Gaquière

17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. pp.4C3, 1-4. ⟨hal-00603136⟩

• Communication dans un congrès

Amélioration des performances électriques en régime statique et hyperfréquence de transistors HEMTs pseudomorphiques de la filière GaAs en utilisant des rayonnements ionisants

F. Berthet, Y. Guhel, H. Galous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, N. Vellas, Christophe Gaquière

17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. pp.6E9, 1-4. ⟨hal-00603138⟩

• Article dans une revue

Beyond 100 GHz AlN/GaN HEMTs on silicon substrate

F Medjdoub, Malek Zegaoui, N. Rolland

A report is presented on high-speed 100nm AlN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) grown on (111) high-resistive silicon substrate. The device delivers an extrinsic peak transconductance gm=530mS/mm, a maximum current of 1.74A/mm, and current gain and maximum oscillation cutoff…

Electronics Letters, 2011, 47 (24), pp.1345-1346. ⟨10.1049/el.2011.3166⟩. ⟨hal-00783379⟩

• Article dans une revue

Design and fabrication of insect-inspired composite wings for MAV application using MEMS technology

X.Q. Bao, A. Bontemps, Sébastien Grondel, Eric Cattan

Journal of Micromechanics and Microengineering, 2011, 21, pp.125020-1-16. ⟨10.1088/0960-1317/21/12/125020⟩. ⟨hal-00783487⟩

• Article dans une revue

Electrosynthesis and analysis of the electrochemical properties of a composite material : polyaniline + titanium oxide

S. Abaci, B. Nessark, Rabah Boukherroub, K. Lmimouni

Thin Solid Films, 2011, 519, pp.3596-3602. ⟨10.1016/j.tsf.2011.01.277⟩. ⟨hal-00579072⟩

• Article dans une revue

Structural, ferroelectric and dielectric properties of In2O3:Sn (ITO) on PbZr0.53 Ti 0.47O3 (PZT)/Pt and annealing effect

L. Kerkache, A. Layadi, El Hadj Dogheche, Denis Remiens

Journal of Alloys and Compounds, 2011, 509, pp.6072-6076. ⟨10.1016/j.jallcom.2011.03.022⟩. ⟨hal-00591328⟩

• Article dans une revue

Unit cell structure of crystal polytypes in InAs and InSb nanowires

D. Kriegner, C. Panse, B. Mandl, K.A. Dick, M. Keplinger, J.M. Persson, P. Caroff, D. Ercolani, L. Sorba, F. Bechstedt, J. Stangl, G. Bauer

Nano Letters, 2011, 11, pp.1483-1489. ⟨10.1021/nl1041512⟩. ⟨hal-00591318⟩

• Article dans une revue

Formations internationales bi diplômantes à l'ENSIAME : du premier double diplôme européen à la conquête des autres continents

Laurent Cauffriez, Sébastien Grondel, Daniel Coutellier

Fortes de l’expérience acquise au cours des 20 dernières années dans le domaine des relations franco-allemandes à travers son réseau d’entreprises, l’ENSIAME, école d’ingénieurs fédérant aujourd’hui l’ensemble des formations d’ingénieurs de l’université de Valenciennes, a ensuite élargi les…

Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, 2011, 10, pp.1001-1-9. ⟨10.1051/j3ea/2011001⟩. ⟨hal-00806668⟩