Publications

• Article dans une revue

Above 600 mS/mm transconductance with 2.3 A/mm drain current density AlN/GaN high electron mobility transistors grown on silicon

F Medjdoub, Malek Zegaoui, Nicolas Waldhoff, B. Grimbert, N. Rolland, Paul-Alain Rolland

AlN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) capped with an in-situ grown SiN have been successfully developed on 100mm Si substrates. A unique combination of maximum output current density exceeding 2A/mm and a record extrinsic transconductance above 600 mS/mm has been reached, which is well…

Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters, 2011, 4 (6), pp.064106-1-3. ⟨10.1143/APEX.4.064106⟩. ⟨hal-00603010⟩

• Communication dans un congrès

Classification de poudres laitières selon leur pouvoir de solvatation estimé par méthode acoustique

Bruno Richard, Malika Toubal, Jean-François Le Page, Georges Nassar, Edouard Radziszewski, Bertrand Nongaillard, Pascal Debreyne, Romain Jeantet, Pierre Schuck, Guillaume Delaplace

L'objectif de ce travail est de valider l’aptitude d’un test non invasif ultrasonore à caractériser la réhydratation (cinétique, mécanisme) de poudres de protéines laitières. Le test consiste à générer une onde ultrasonore et à observer sa transmission à travers la suspension solide/liquide…

XIIIe Congrès de la Société Française du Génie des Procédés, SFGP 2011, Nov 2011, Lille, France. ⟨hal-00807669⟩

• Article dans une revue

Anisotropic excitonic effects in the energy loss function of hexagonal boron nitride

S. Galambosi, L. Wirtz, J.A. Soininen, J. Serrano, A. Marini, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. Huotari, A. Rubio, K. Hamalainen

The anisotropy of the valence energy-loss function of hexagonal boron nitride (hBN) is shown to be largely enhanced by the highly inhomogeneous character of the excitonic states. The energy loss with momentum transfer parallel to the BN layers is dominated by strongly bound, quasi-two-dimensional…

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2011, 83 (8), pp.081413. ⟨10.1103/PhysRevB.83.081413⟩. ⟨hal-00579067⟩

• Chapitre d'ouvrage

Ingénierie des matériaux et des structures, mécanique des solides, acoustique

Djimédo Kondo, Piotr Breitkopf, Robert Charlier, Paul Cristini, Valerie Deplano, Bertrand Dubus, Joseph Gril, Thierry Le Mogne, Frédéric Lebon, Nathalie Maurel, Nicolas Moes, Laurent Orgéas, Vincent Pagneux, Etienne Patoor, Sylvie Pommier, Claire Prada, Edgar Rauch, Jean-Jacques Sinou, Frédéric Valès, Claude Verdier

Les disciplines représentées dans la section 09 sont à la fois des disciplines de savoir, et des disciplines de l’ingénierie. On les retrouve aussi bien dans les activités de génération de connaissances de base, que dans la démarche de mise en œuvre de ces connaissances dans des réalisations…

Rapport de conjoncture 2010 du Comité national de la recherche scientifique, CNRS Editions, pp.169-186, 2011, ISBN 978-2-271-07263-4. ⟨hal-00799637⟩

• Article dans une revue

Band offsets, wells, and barriers at nanoscale semiconductor heterojunctions

Y.M. Niquet, C. Delerue

Epitaxially grown semiconductor heterostructures make it possible to tailor the potential landscape for the carriers in a very controlled way. In planar lattice-matched heterostructures, the potential has indeed a very simple and easily predictable behavior: it is constant everywhere except at the…

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2011, 84 (7), pp.075478. ⟨10.1103/PhysRevB.84.075478⟩. ⟨hal-00639883⟩

• Communication dans un congrès

Growth of zinc oxide nanorods in water vapor environment and its promising role in solar cell

Basma El Zein, I. Gereige, S. Boulfrad, A. Gokarna, El Hadj Dogheche, Didier Decoster, S. Habib, G. Jabbour

20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2. ⟨hal-00800057⟩

• Communication dans un congrès

Growth of antimony-containing nanowires

Philippe Caroff, Kimberly A. Dick, C. Thelander, S.R. Plissard, X. Wallart

Thematic Days on Nanowires and Applications, GDR 2974, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-00591392⟩

• Article dans une revue

Erbium silicide growth in the presence of residual oxygen

N. Reckinger, Xing Tang, S. Godey, Emmanuel Dubois, A. Laszcz, J. Ratajczak, Adriana Vlad, C.A. Dutu, J.P. Raskin

The chemical changes of Ti/Er/n-Si(100) stacks evaporated in high vacuum and grown ex situ by rapid thermal annealing were scrutinized. The emphasis was laid on the evolution with the annealing temperature of (i) the Er-Si solid-state reaction and (ii) the penetration of oxygen into Ti and its…

Journal of The Electrochemical Society, 2011, 158, pp.H715-H723. ⟨10.1149/1.3585777⟩. ⟨hal-00597075v2⟩

• Communication dans un congrès

Comparison between H.264/AVC intra transrating schemes based on frequency position and frequency level selectivity

Christophe Deknudt, A.S. Bacquet, Patrick Corlay, Marie Zwingelstein, François-Xavier Coudoux

6th IEEE International Symposium on Broadband Multimedia Systems and Broadcasting, BMSB 2011, 2011, Nuremberg, Germany. pp.1-5, ⟨10.1109/BMSB.2011.5954972⟩. ⟨hal-00800169⟩

• Communication dans un congrès

Properties of GaN and InN films in terahertz range

A. Gauthier-Brun, J.H. Teng, W. Liu, M. Tonouchi, El Hadj Dogheche, A. Gokarna, S.J. Chua, Didier Decoster

20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2. ⟨hal-00800062⟩