Publications

• Article dans une revue

Enhancing LSPR sensitivity of Au gratings through graphene coupling to Au film

Thomas Maurer, Rana Nicolas, Gaëtan Lévêque, P. Subramanian, Julien Proust, Jérémie Béal, Silvere Schuermans, Jean-Pierre Vilcot, Z. Herro, M. Kazan, Jerome Plain, Rabah Boukherroub, Abdellatif Akjouj, Bahram Djafari-Rouhani, Pierre-Michel Adam, Sabine Szunerits

A particular interesting plasmonic system is that of metallic nanostructures interacting with metal films. As the localized surface plasmon resonance (LSPR) behavior of gold nanostructures (Au NPs) on the top of a gold thin film is exquisitely sensitive to the spacer distance of the film-Au NPs, we…

Plasmonics, 2014, 9, pp.507-512. ⟨10.1007/s11468-013-9649-0⟩. ⟨hal-00994804⟩

• Communication dans un congrès

Phosphorus-hyperdoped Si nanocrystals : a model for localized surface plasmon resonance

X. Pi, Christophe Delerue

It has been recently realized that semiconductor nanocrystals can be doped with point defects or impurities up to a very high level, sometimes above the bulk solubility limit. In parallel, hyperdoping has also emerged as a promising means to change the electrical and optical properties of Si. In…

European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium X - Materials research for group IV semiconductors : growth, characterization and technological developments, 2014, Lille, France. ⟨hal-00961394⟩

• Communication dans un congrès

Croissance localisée d'InAs par épitaxie par jets moléculaires

Maria Fahed, L. Desplanque, Xavier Wallart

Ce travail porte sur l'étude de la croissance localisée d'InAs sur InAs déposé par épitaxie par jets moléculaires (EJM). Nous présentons la caractérisation de la morphologie des surfaces par microscopie électronique à balayage (MEB).

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018426⟩

• Communication dans un congrès

Technique de mesure du facteur de bruit différentiel avec un analyseur de réseau 4-ports

Yogadissen Andee, Jérôme Prouvée, François Graux, Francois Danneville

Ce papier présente une nouvelle méthode pour la mesure du facteur de bruit différentiel. Cette approche consiste à mesurer les paramètres S et les puissances de bruit en sortie du circuit différentiel directement sur un analyseur de réseau 4-ports. Elle ne nécessite aucun coupleur qui compliquerait…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018395⟩

• Communication dans un congrès

InAs based Esaki tunnel diodes

Vinay Kumar Chinni, L. Desplanque, Mohamed Zaknoune, Xavier Wallart

We present simulation results of InAs based Esaki tunnel diodes. InAs homojunction and InAs/AlGaSb heterojunction are considered and we investigate the role of source and drain doping levels as well as band energy discontinuities on the tunneling current of the device. The results are very…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018430⟩

• Communication dans un congrès

Combinaison d'une polarisation élevée et d'une forte tenue en tension pour les transistors AlN/GaN sur Si

Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, F Medjdoub

Nous avons réalisé un transistor à double hétérostructure AlN/GaN/AlGaN sur substrat Silicium (111) combinant une tension de claquage élevée et une faible résistance à l'état passant avec une épaisseur totale de buffer de l'ordre de 2μm. Une technique de gravure locale du substrat a été…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018416⟩

• Communication dans un congrès

Ferroelectric thin films working at microwave frequency for reconfigurable devices on silicon substrate: performances comparison between BST, PST

Freddy Ponchel, Denis Remiens, Areski Ghalem, Tuami Lasri

4th International Meeting on Dielectric Materials, May 2013, Marrakech, Morocco. ⟨hal-03659197⟩

• Article dans une revue

F center in lithium fluoride revisited : comparison of solid-state physics and quantum-chemistry approaches

Ferenc Karsai, Paul Tiwald, Robert Laskowski, Fabien Tran, David Koller, Stefanie Gräfe, Joachim Burgdörfer, Ludger Wirtz, Peter Blaha

We revisit the theoretical description of the F color center in lithium fluoride employing advanced complementary ab initio techniques. We compare the results from periodic supercell calculations involving density-functional theory (DFT) and post-DFT techniques with those from the embedded-cluster…

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2014, 89, 125429, 12 p. ⟨10.1103/PhysRevB.89.125429⟩. ⟨hal-00968483⟩

• Communication dans un congrès

Room-temperature quantum spin Hall effect in HgTe honeycomb superlattices

Cristiane Morais Smith, Wouter Beugeling, Efterpi Kalesaki, Yann-Michel Niquet, Christophe Delerue, Daniel Vanmaekelbergh

The recent experimental realization of self-assembled honeycomb superlattices of truncated semiconducting nanocrystals has opened a new path to engineer graphene-like structures. Atomistic band-structure calculations for honeycomb lattices of PbSe and CdSe have shown a rich band structure, with…

American Physical Society March Meeting, APS March Meeting 2014, Session B31 - Focus Session : Computational Discovery and Design of New Materials II, 2014, Denver, CO, United States. ⟨hal-00922589⟩

• Article dans une revue

Elastic properties of tensile nitrogen-plasma-treated multilayer silicon nitride films

M. Braccini, F. Volpi, Arnaud Devos, G. Raymond, D. Benoit, Pascal Morin

Highly stressed silicon nitride thin films are used in gate first complementary metal oxide semiconductors to improve mobility in the silicon channel. Compressive stresses improve hole mobility in p-type MOS transistors while tensile stresses increase electron mobility in n-type MOS devices. High…

Thin Solid Films, 2014, 551, pp.120-126. ⟨10.1016/j.tsf.2013.11.012⟩. ⟨hal-00925380⟩