Publications
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A nanoparticle organic memory field-effect transistor behaving as a programmable spiking synapse
F. Alibart, S. Pleutin, David Guérin, K. Lmimouni, D. Vuillaume, C. Novembre, C. Gamrat
10th Trends in Nanotechnology International Conference, TNT2009, 2009, Barcelona, Spain. ⟨hal-00574883⟩
Components for optoelectronic generation of CW THz waves
Guillaume Ducournau, Emilien Peytavit, Alexandre Beck, Olivier Offranc, Mohammed Zaknoune, Tahsin Akalin, Karine Blary, Jean-Francois Lampin, Matthieu Martin, Juliette Mangeney, Chun Yang, Francis Hindle, Gaël Mouret
5èmes Journées THz, 2009, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-00574856⟩
Dynamique de relaxation moléculaire dans les jonctions moléculaires organiques
N. Clement, S. Pleutin, David Guérin, D. Cahen, D. Vuillaume
Colloque Matériaux et Nanostructures π-conjugés, MNPC09, 2009, Arcachon, France. ⟨hal-00574885⟩
Contribution au développement d'une filière de transistor de forte puissance à base de technologie HEMT GaN pour applications télécoms et radar
Gwenaël Le Coustre
2009. ⟨hal-00572815⟩
Conception et réalisation d'une transition en paliers et d'un filtre micro-onde inductif en technologie SIW 'Substrate Integrated Waveguide
K. Nouri, Kamel Haddadi, O. Benzaim, T. Lasri, M. Feham
Conception et réalisation d'une transition en paliers et d'un filtre micro-onde inductif en technologie SIW 'Substrate Integrated Waveguide'. TELECOM'2009 & 6èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2009, Maroc. pp.A3-5, 1-4. ⟨hal-00573514⟩
Technique d'imagerie à ondes évanescentes basée sur la réflectométrie six-port à 35 GHz
M.M. Wang, O. Benzaim, Kamel Haddadi, D. Glay, T. Lasri
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.6D-3, 1-4. ⟨hal-00573520⟩
Analyseur de réseaux millimétrique six-port et calibrage associé
Kamel Haddadi, M.M. Wang, D. Glay, K. Ziouche, T. Lasri
TELECOM'2009 & 6èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2009, Maroc. pp.A4-3, 1-4. ⟨hal-00573515⟩
Extraction of traps in AlGaN/GaN/Al2O3 HEMT's based on DC I-V characteristics
O. Fathallah, M. Gassoumi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, H. Maaref
2nd International Meeting on Materials for Electronic Applications, IMMEA 2009, 2009, Hammamet, Tunisia. ⟨hal-00575455⟩
AlGaN/GaN/Si HEMT's and capacitance deep level transient spectroscopy (DLTS)
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
2nd International Meeting on Materials for Electronic Applications, IMMEA 2009, 2009, Hammamet, Tunisia. ⟨hal-00575416⟩
Optical properties of GaN epitaxial layers deposited on a low temperature buffer layer of AlN for waveguide applications
A. Stolz, E. Cho, El Hadj Dogheche, D. Pavlidis, Didier Decoster
5th International Conference for Materials Advanced Technologies, ICMAT 2009, Symposium O: Compound Semiconductor Photonics: Materials, Devices and Integration, 2009, _, Singapore. ⟨hal-00575299⟩