Publications

• Communication dans un congrès

AlGaN/GaN : processing and characterisation at TIGER laboratory

Raphaël Aubry, Damien Ducatteau, Erwan Morvan, B. Grimbert, Thierry Dean, M. Francois, S. Touati, Virginie Hoel, J.C. Pesant, A. Leroy, D. Thenot, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Michel Rousseau, Eva Chartier

13th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Applications Symposium, GAAS 2005, 2005, Paris, France. ⟨hal-00126465⟩

• Communication dans un congrès

Spectroscopie de nanocristaux de semiconducteurs : enjeux récents, études théoriques

Christophe Delerue, Guy Allan

Congrès général de la Société Française de Physique, 2005, Lille, France. ⟨hal-00126454⟩

• Communication dans un congrès

Implementation of a 2D electron-thermal model for power semiconductor devices simulation : application on gallium nitride

Brahim Benbakhti, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger

Comsol Multiphysics Conference, 2005, Paris, France. ⟨hal-00126464⟩

• Communication dans un congrès

Multi-resolution modulation : an optimization criterion based on information theory

Marie Zwingelstein, M Gharbi, Marc G. Gazalet

2005, pp.CD-ROM, CT07-1. ⟨hal-00126481⟩

• Communication dans un congrès

Jonctions silicium-molécules-métal réalisées par nanotransfer printing : synthèse chimique et propriétés électriques

David Guérin, C. Merckling, S. Lenfant, D. Vuillaume

Journées des Polymères Conducteurs, 2005, Nantes, France. ⟨hal-00126221⟩

• Communication dans un congrès

Excitonic effects in boron nitride nanotubes

L. Wirtz

Réunion générale du GDR-DFT, 2005, Cap d'Agde, France. ⟨hal-00126429⟩

• Communication dans un congrès

Acceptor states in GaAs studied by X-STS at 5K

B. Grandidier, G. Mahieu, D. Deresmes, J.P. Nys, D. Stievenard, P. Ebert

13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques, STM'05, 2005, Sapporo, Japan. ⟨hal-00126437⟩

• Article dans une revue

Comparison between carried-induced optical index, loss variations and carrier lifetime in GalnAsP/InP heterostructures for 1.55 μm DOS application

Malek Zegaoui, Didier Decoster, Joseph Harari, Jean-Pierre Vilcot, F. Mollot, V. Magnin, Jean Chazelas

Experimentally carrier-induced optical index, propagation excess loss and carrier lifetime variations against injected current in n +-InP/i- InGaAsP/i-InP/p +-InP heterostructures are investigated. The heterostructures have quaternary bandgap composition of λ g = 1.18 and 1.30 urn, and they were…

Electronics Letters, 2005, 41 (10), pp.613-614. ⟨10.1049/el:20050770⟩. ⟨hal-00125658⟩

• Autre publication scientifique

Utilisation des technologies CMOS SOI 130 nm pour des applications en gamme de fréquences

C. Pavageau

2005. ⟨hal-00126201⟩

• Autre publication scientifique

Réalisation et caractérisation de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de longueur de grille sub-50 nanomètres et de transistors sans couche tampon

I. Duszynski

2005. ⟨hal-00126203⟩